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公开(公告)号：CN116463610A
公开(公告)日：2023-07-21
申请号：CN202310218216.4
申请日：2023-03-08
Applicant: 兰州大学
Abstract: 本发明涉及化学气象沉积法实现二维材料堆叠生长技术领域，具体涉及一种可控生长少层堆叠MoS2的方法，适用于层状二维材料过渡金属硫族化合物(TMDCs)同质结的制备。该实验方法采用传统的常压化学气象沉积法，上游低温区和下游高温区的CVD系统中，在保护气体Ar作为载气的条件下，通过调控衬底与两种前驱体的距离、以及反应过程中下游高温区管式炉和上游低温区硫粉预热器的升温曲线，成功实现了堆叠的状的MoS2二维结构。该实验方法避免了转移法堆叠二维材料过程中的界面污染，成功率低，操作难度大，转移过程中对原子界面的损伤，在大规模制备二维半导体同质结、研究层间强耦合作用和探索全新的二维层间激子方面有深远的物理意义。
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