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公开(公告)号：CN114859134B
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202210473275.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 兰州大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于差分运放的电容检测电路，涉及检测电路技术领域，包括TIA电容检测电路、差分放大电路、二级放大电路和滤波电路，所述TIA电容检测电路与差分放大电路电性连接，差分放大电路与二级放大电路电性连接；本方案中，通过设置TIA电容检测电路、差分放大电路、二级放大电路和滤波电路，很好的检测定值电容差，且能够达到检测动态电容差的目的(两个待测电容动态变化时，J8输入载波，待测电容对载波进行调幅，输出电流信号经跨阻放大电路TIA转化为电压信号)，该信号经FFT信号解调后，可获得与电容差呈线性关系的电压值，实现对电容的有效检测，且该电路在实现高精度检测的基础上，结构简单，成本较低，所需元器件易采购，方便人们的使用。
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公开(公告)号：CN109665516A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811589279.6
申请日：2018-12-25
Applicant: 兰州大学
IPC: C01B32/186 , B82Y40/00
Abstract: 一种简易制备直立石墨烯纳米片阵列的方法，包括以下步骤，步骤一：将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥；步骤二：将含碳前驱物置于管式炉中，在惰性气体的保护下，升高炉内温度，实现直立石墨烯纳米片阵列的制备。本发明具有以下优点：第一，设备简单且易于操作及维护，可大规模生产；第二，制备过程简单、低劳动强度、能耗低，不涉及高温、高压，满足安全、绿色的生产理念；第三，生长的直立石墨烯纳米片可以为单层也可以为少数层（≤10层）。
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公开(公告)号：CN109665516B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201811589279.6
申请日：2018-12-25
Applicant: 兰州大学
IPC: C01B32/186 , B82Y40/00
Abstract: 一种简易制备直立石墨烯纳米片阵列的方法，包括以下步骤，步骤一：将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥；步骤二：将含碳前驱物置于管式炉中，在惰性气体的保护下，升高炉内温度，实现直立石墨烯纳米片阵列的制备。本发明具有以下优点：第一，设备简单且易于操作及维护，可大规模生产；第二，制备过程简单、低劳动强度、能耗低，不涉及高温、高压，满足安全、绿色的生产理念；第三，生长的直立石墨烯纳米片可以为单层也可以为少数层（≤10层）。
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公开(公告)号：CN109487251B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811589237.2
申请日：2018-12-25
Applicant: 兰州大学
IPC: C23C20/06
Abstract: 一种微纳金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤，步骤一：将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥；步骤二：将含碳前驱物置于管式炉中，在惰性气体的保护下，升高炉内温度，使炉内温度达到生长温度700‑1000˚C，通过将生长温度控制在30‑180min，实现微纳金刚石薄膜的可控制备。本发明具有以下优点：第一，设备简单且易于操作及维护；第二，制备过程简单、能耗低，不涉及高温、高压，满足安全、绿色的生产理念；第三，设备及制备成本低廉、易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN116701283A
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN202310698075.0
申请日：2023-06-13
Applicant: 兰州大学
IPC: G06F13/42
Abstract: 本申请公开了基于SPI总线的数据通信方法及系统，包括：获取SPI总线的主机的信号，差分信号将主机的第一周期数据信号和第一周期时钟信号分开，先行传输第一周期时钟信号；匹配与主机对应模式的从机，从机对接收到信号解码，得到第一周期时钟信号后给出第一周期应答信号；主机等待接收匹配的从机的第一周期应答信号，接收到第一周期应答信号后传输第一周期数据信号，得到写入数据；从机在发送应答数据后，对接收到的数据解码，得到写入数据，存储在寄存器中，记为接收数据；主机发送第二周期时钟信号，同时读取第一周期从机的接收数据，得到读取数据，对比写入数据和读取数据，不一致时立刻调整为停止模式。本申请提高了数据通信的准确性和便捷性。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106409653A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610197758.8
申请日：2016-03-31
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02603
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：⑴、在玻璃衬底上用T-CVD法沉积硅薄膜；⑵、用金属辅助化学刻蚀法在硅薄膜上制出纳米线阵列。本发明通过在比硅片廉价许多的玻璃衬底上沉积硅薄膜，再进行硅纳米线的制备；极大降低了制作成本，T-CVD法想比于其他薄膜沉积方法，设备更加简单，极易实现；采用最为简单方便的金属辅助化学刻蚀法，进一步简化了制备过程。
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公开(公告)号：CN115576768A
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN202211398410.7
申请日：2022-11-09
Applicant: 兰州大学
IPC: G06F11/273 , G06F11/22
Abstract: 本发明公开了一种基于UVM的通用验证平台架构自动生成方法，包括以下步骤：S1：构建UVM通用验证平台组件mako模板库；S2：运行python脚本，输入相应的配置信息；S3：基于输入的配置信息，通过脚本从模板库中抓取相应的模板；S4：模板导入配置信息，模板内控制语句自动执行，完成模板到代码文件的转换；S5：询问用户是否生成验证平台和待测设计的自动连接，并按要求输出连接文件。能够一键生成验证平台所有框架代码，无需人力手动，可以提高验证效率，降低开发成本，减少人为出错，提升验证平台的可靠性；采用了Python脚本对mako模板的导入逻辑，验证人员无需付出多余的学习成本去学脚本语言，而是能够直接上手维护，大大降低了人力成本和学习成本。
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公开(公告)号：CN114859134A
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202210473275.1
申请日：2022-04-29
Applicant: 兰州大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明公开了一种基于差分运放的电容检测电路，涉及检测电路技术领域，包括TIA电容检测电路、差分放大电路、二级放大电路和滤波电路，所述TIA电容检测电路与差分放大电路电性连接，差分放大电路与二级放大电路电性连接；本方案中，通过设置TIA电容检测电路、差分放大电路、二级放大电路和滤波电路，很好的检测定值电容差，且能够达到检测动态电容差的目的(两个待测电容动态变化时，J8输入载波，待测电容对载波进行调幅，输出电流信号经跨阻放大电路TIA转化为电压信号)，该信号经FFT信号解调后，可获得与电容差呈线性关系的电压值，实现对电容的有效检测，且该电路在实现高精度检测的基础上，结构简单，成本较低，所需元器件易采购，方便人们的使用。
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公开(公告)号：CN109487251A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811589237.2
申请日：2018-12-25
Applicant: 兰州大学
IPC: C23C20/06
Abstract: 一种微纳金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤，步骤一：将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥；步骤二：将含碳前驱物置于管式炉中，在惰性气体的保护下，升高炉内温度，使炉内温度达到生长温度700-1000˚C，通过将生长温度控制在30-180min，实现微纳金刚石薄膜的可控制备。本发明具有以下优点：第一，设备简单且易于操作及维护；第二，制备过程简单、能耗低，不涉及高温、高压，满足安全、绿色的生产理念；第三，设备及制备成本低廉、易于规模化生产。
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