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公开(公告)号：CN109665516A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201811589279.6
申请日：2018-12-25
Applicant: 兰州大学
IPC: C01B32/186 , B82Y40/00
Abstract: 一种简易制备直立石墨烯纳米片阵列的方法，包括以下步骤，步骤一：将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥；步骤二：将含碳前驱物置于管式炉中，在惰性气体的保护下，升高炉内温度，实现直立石墨烯纳米片阵列的制备。本发明具有以下优点：第一，设备简单且易于操作及维护，可大规模生产；第二，制备过程简单、低劳动强度、能耗低，不涉及高温、高压，满足安全、绿色的生产理念；第三，生长的直立石墨烯纳米片可以为单层也可以为少数层（≤10层）。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109665516B
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN201811589279.6
申请日：2018-12-25
Applicant: 兰州大学
IPC: C01B32/186 , B82Y40/00
Abstract: 一种简易制备直立石墨烯纳米片阵列的方法，包括以下步骤，步骤一：将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥；步骤二：将含碳前驱物置于管式炉中，在惰性气体的保护下，升高炉内温度，实现直立石墨烯纳米片阵列的制备。本发明具有以下优点：第一，设备简单且易于操作及维护，可大规模生产；第二，制备过程简单、低劳动强度、能耗低，不涉及高温、高压，满足安全、绿色的生产理念；第三，生长的直立石墨烯纳米片可以为单层也可以为少数层（≤10层）。
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公开(公告)号：CN109487251B
公开(公告)日：2020-07-07
申请号：CN201811589237.2
申请日：2018-12-25
Applicant: 兰州大学
IPC: C23C20/06
Abstract: 一种微纳金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤，步骤一：将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥；步骤二：将含碳前驱物置于管式炉中，在惰性气体的保护下，升高炉内温度，使炉内温度达到生长温度700‑1000˚C，通过将生长温度控制在30‑180min，实现微纳金刚石薄膜的可控制备。本发明具有以下优点：第一，设备简单且易于操作及维护；第二，制备过程简单、能耗低，不涉及高温、高压，满足安全、绿色的生产理念；第三，设备及制备成本低廉、易于规模化生产。
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公开(公告)号：CN106409653A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610197758.8
申请日：2016-03-31
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02603
Abstract: 本发明公开了一种硅纳米线阵列的制备方法，包括以下步骤：⑴、在玻璃衬底上用T-CVD法沉积硅薄膜；⑵、用金属辅助化学刻蚀法在硅薄膜上制出纳米线阵列。本发明通过在比硅片廉价许多的玻璃衬底上沉积硅薄膜，再进行硅纳米线的制备；极大降低了制作成本，T-CVD法想比于其他薄膜沉积方法，设备更加简单，极易实现；采用最为简单方便的金属辅助化学刻蚀法，进一步简化了制备过程。
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公开(公告)号：CN109487251A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811589237.2
申请日：2018-12-25
Applicant: 兰州大学
IPC: C23C20/06
Abstract: 一种微纳金刚石薄膜的制备方法，包括以下步骤，步骤一：将合适的含碳固相前驱物的溶液、粉体、胶状物等涂覆于具有催化作用的衬底上并干燥；步骤二：将含碳前驱物置于管式炉中，在惰性气体的保护下，升高炉内温度，使炉内温度达到生长温度700-1000˚C，通过将生长温度控制在30-180min，实现微纳金刚石薄膜的可控制备。本发明具有以下优点：第一，设备简单且易于操作及维护；第二，制备过程简单、能耗低，不涉及高温、高压，满足安全、绿色的生产理念；第三，设备及制备成本低廉、易于规模化生产。
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