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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545967A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811279391.X
申请日：2018-10-30
Applicant: 兰州大学
Abstract: 一种有机阻变存储器，包括衬底和衬底上的上电极和下电极，所述上电极与下电极之间设有阻变功能层，所述上电极和下电极均由掺杂金属纳米线或掺杂金属量子点的有机导电聚合物组成。本发明使用有机阻变材料取代了传统的无机阻变材料，是适应未来绿色环保发展的器件，本发明提供的阻变存储器使用了有机导电聚合物作为上电极层、下电极层，有别于传统使用金属电极、氧化物无机材料作为阻变存储层制备的存储器件。本发明提供的阻变存储器结构和制造工艺简单、制作成本低、并且能够在柔性电子领域具有较大的应用前景。
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公开(公告)号：CN109494301A
公开(公告)日：2019-03-19
申请号：CN201811280758.X
申请日：2018-10-30
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种利用新型二维材料提高阻变存储器稳定性的实现方法，是将石墨烯薄膜作为阻挡层嵌入阻变存储薄膜和导电电极之间。本发明中将石墨烯薄膜作为阻挡层嵌入阻变存储薄膜和导电电极之间，石墨烯可视作氧势垒，在氧离子扩散过程中防止其进一步移入顶部金属电极，随着阻变循环的增加，因为没有电极氧化还原反应的影响，阻变存储层界面附近的氧化还原过程变得稳定，能够使得阻变存储器性能参数变得更加稳定。
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公开(公告)号：CN110783457A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201911025147.5
申请日：2019-10-25
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种利用重离子微孔膜改善阻变存储器一致性的实现方法，是将重离子微孔膜作为控制层嵌入阻变存储层和导电电极之间。在阻变存储器件发生电阻转变的过程中，对器件施加电压以后，在电场的作用下，活性金属电极发生氧化还原反应在阻变存储层中所形成金属导电细丝的形成与破灭时引起电阻转变的主要原因。由于导电细丝的形成与破灭是随机的，因此阻变参数具有很大的离散性，影响阻变存储器的一致性。
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公开(公告)号：CN109411600A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201811279385.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及微电子技术以及存储器器件领域，公开了一种降低阻变存储器操作电压的方法，该方法是采用在阻变存储器的上电极与下电极之间的阻变存储层内嵌入一层氧化石墨烯量子点层的缓冲层。本发明将新型二维材料的石墨烯或石墨烯基材料氧化石墨烯量子点层（GOQDs）作为缓冲层引入两层金属氧化物薄膜之间，充当从电极注入的载流子的捕获中心，加强阻变存储层中的内部电场，以加强和稳定局部导电细丝的生长，降低器件的操作电压。本发明提供的阻变存储器结构和制造工艺简单、制作成本低并且与传统CMOS工艺兼容。
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公开(公告)号：CN110783457B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201911025147.5
申请日：2019-10-25
Applicant: 兰州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种利用重离子微孔膜改善阻变存储器一致性的实现方法，是将重离子微孔膜作为控制层嵌入阻变存储层和导电电极之间。在阻变存储器件发生电阻转变的过程中，对器件施加电压以后，在电场的作用下，活性金属电极发生氧化还原反应在阻变存储层中所形成金属导电细丝的形成与破灭时引起电阻转变的主要原因。由于导电细丝的形成与破灭是随机的，因此阻变参数具有很大的离散性，影响阻变存储器的一致性。
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