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公开(公告)号：CN110534628B
公开(公告)日：2021-03-09
申请号：CN201810508040.5
申请日：2018-05-24
申请人： 光宝光电(常州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光装置及其制造方法。发光装置包括封装结构以及发光芯片。封装结构具有容纳发光芯片的凹槽，且凹槽的宽度由内朝外渐增。本发明所公开的发光装置具有经过提升的发光效率。
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公开(公告)号：CN110534628A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201810508040.5
申请日：2018-05-24
申请人： 光宝光电(常州)有限公司 , 光宝科技股份有限公司
摘要： 本发明公开一种发光装置及其制造方法。发光装置包括封装结构以及发光芯片。封装结构具有容纳发光芯片的凹槽，且凹槽的宽度由内朝外渐增。本发明所公开的发光装置具有经过提升的发光效率。
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公开(公告)号：CN109411590A
公开(公告)日：2019-03-01
申请号：CN201710708831.8
申请日：2017-08-17
申请人： 光宝光电(常州)有限公司
IPC分类号： H01L33/60
摘要： 一种发光二极管结构及发光单元，所述发光二极管结构包含基板、设置于基板相反两表面的电极层与焊垫层、设置于电极层上的发光二极管芯片、设置于发光二极管芯片发光面上的荧光转换层、及起透滤光层。所述焊垫层电性连接于电极层及发光二极管芯片，所述荧光转换层具有远离发光二极管芯片的一出光面。起透滤光层设置于出光面上，起透滤光层朝向发光二极管芯片的发光面正投影所形成的一投影区域，其占发光面面积的30％至90％。起透滤光层在其最大透过率的50％所对应的光线波长介于450～480纳米，并且起透滤光层的陡度为5～50纳米之间。借此，发光二极管结构(或发光单元)在可视角范围内的色温差距能有效地降低。
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公开(公告)号：CN109411590B
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201710708831.8
申请日：2017-08-17
申请人： 光宝光电(常州)有限公司
IPC分类号： H01L33/60
摘要： 一种发光二极管结构及发光单元，所述发光二极管结构包含基板、设置于基板相反两表面的电极层与焊垫层、设置于电极层上的发光二极管芯片、设置于发光二极管芯片发光面上的荧光转换层、及起透滤光层。所述焊垫层电性连接于电极层及发光二极管芯片，所述荧光转换层具有远离发光二极管芯片的一出光面。起透滤光层设置于出光面上，起透滤光层朝向发光二极管芯片的发光面正投影所形成的一投影区域，其占发光面面积的30％至90％。起透滤光层在其最大透过率的50％所对应的光线波长介于450～480纳米，并且起透滤光层的陡度为5～50纳米之间。借此，发光二极管结构(或发光单元)在可视角范围内的色温差距能有效地降低。
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