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公开(公告)号：CN1610968A
公开(公告)日：2005-04-27
申请号：CN02826380.4
申请日：2002-12-11
Applicant: 先进微装置公司
IPC: H01L21/762 , H01L21/311 , H01L21/316
CPC classification number: H01L21/76235
Abstract: 本发明揭示一种于半导体制造期间执行浅槽隔离以改善沟槽的角部圆角化的方法。本方法包括蚀刻沟槽(34)进入作用区(30)之间的硅基板(24)，并在该沟槽(34)上执行双重衬底氧化工艺。本方法进一步包括于该作用区(30)上执行双重牺牲氧化工艺(72)和(76)，其中各沟槽(34)的角部(35)由此四个氧化工艺而实质上形成圆角化。
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