感测元件及其形成方法
    1.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108072683B

    公开(公告)日:2021-04-23

    申请号:CN201610988314.6

    申请日:2016-11-10

    Abstract: 本发明公开了一种感测元件及其形成方法,其中感测元件包含多个第一导电纳米结构、导电层以及至少一个电极。导电层覆盖这些第一导电纳米结构。导电层的材料熔点高于这些第一导电纳米结构的材料熔点。导电层与这些第一导电纳米结构的其中至少一个是对气体敏感的。电极电性连接这些第一导电纳米结构与导电层的其中至少一个。当导电纳米结构与导电层经过加热处理时,导电层可保护导电纳米材料免于因为加热处理而熔化,也可助于满足气体感测器的高温操作需求。

    感测元件及其形成方法
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108072683A

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201610988314.6

    申请日:2016-11-10

    CPC classification number: G01N27/12 G01N27/127

    Abstract: 本发明公开了一种感测元件及其形成方法,其中感测元件包含多个第一导电纳米结构、导电层以及至少一个电极。导电层覆盖这些第一导电纳米结构。导电层的材料熔点高于这些第一导电纳米结构的材料熔点。导电层与这些第一导电纳米结构的其中至少一个是对气体敏感的。电极电性连接这些第一导电纳米结构与导电层的其中至少一个。当导电纳米结构与导电层经过加热处理时,导电层可保护导电纳米材料免于因为加热处理而熔化,也可助于满足气体感测器的高温操作需求。

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