公开(公告)号：CN100361307C

公开(公告)日：2008-01-09

申请号：CN200480013227.4

申请日：2004-05-07

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 高野清隆 ,  角田均

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  Y10S65/08 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明提供一种SOI晶片，该SOI晶片为至少具备SOI层的SOI晶片，其特征为：该SOI层的面方位的偏角是由{110}只往 方法，而且，偏角角度在5分以上2度以下；及提供一种SOI晶片的制造方法，至少贴合基底晶片和由硅单结晶所构成的结合晶片，将该结合晶片予以薄膜化以形成SOI层而成，其特征为：前述结合晶片是使用面方位由{110}只往 方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下的晶片。因此，可以提供具有高的膜厚均匀性和良好的微观粗糙度，适合于高速元件的制作的SOI晶片及其制造方法。

公开(公告)号：CN1791982A

公开(公告)日：2006-06-21

申请号：CN200480013227.4

申请日：2004-05-07

Applicant: 信越半导体股份有限公司

Inventor： 高野清隆 ,  角田均

IPC: H01L27/12

CPC classification number: H01L21/76251 ,  Y10S65/08 ,  Y10T117/10

Abstract: 本发明提供一种SOI晶片，该SOI晶片为至少具备SOI层的SOI晶片，其特征为：该SOI层的面方位的偏角是由{110}只往 方向，而且，偏角角度在5分以上2度以下；及提供一种SOI晶片的制造方法，至少贴合基底晶片和由硅单结晶所构成的结合晶片，将该结合晶片予以薄膜化以形成SOI层而成，其特征为：前述结合晶片是使用面方位由{110}只往 方向偏角，而且，偏角角度在5分以上2度以下的晶片。因此，可以提供具有高的膜厚均匀性和良好的微观粗糙度，适合于高速元件的制作的SOI晶片及其制造方法。