公开(公告)号：CN104040702A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201280066709.0

申请日：2012-12-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 冈铁也 ,  江原幸治

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，该方法通过对单晶硅晶片进行使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后，以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下的第一热处理，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚于上述氧浓度峰值区域。由此，提供一种能够制造形成有靠近器件形成区域的良好的吸杂层的单晶硅晶片的方法。

公开(公告)号：CN104040702B

公开(公告)日：2016-06-22

申请号：CN201280066709.0

申请日：2012-12-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 冈铁也 ,  江原幸治

IPC: H01L21/322 ,  H01L21/26

CPC classification number: H01L21/3225 ,  H01L29/16

Abstract: 本发明是一种单晶硅晶片的制造方法，该方法通过对单晶硅晶片进行使用快速加热、快速冷却装置在含氧气氛下以第一热处理温度保持1～60秒之后，以1～100℃/秒的降温速度冷却至800℃以下的第一热处理，而使氧在内部扩散以在上述单晶硅晶片的表面附近形成氧浓度峰值区域，之后，通过进行第二热处理，而使上述单晶硅晶片内的氧凝聚于上述氧浓度峰值区域。由此，提供一种能够制造形成有靠近器件形成区域的良好的吸杂层的单晶硅晶片的方法。