公开(公告)号：CN112262455A

公开(公告)日：2021-01-22

申请号：CN201980039406.1

申请日：2019-05-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 今井俊和 ,  吉田和彦 ,  二井谷美保 ,  若林大士 ,  石川修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种贴合SOI晶圆的制造方法，具有以下工序：使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆，在所述基底晶圆的贴合面侧形成底层绝缘膜；在所述底层绝缘膜的表面堆积多晶硅层；对所述多晶硅层的表面进行研磨；对研磨后的所述多晶硅层进行离子注入以将所述多晶硅层改性，而形成改性硅层；在所述接合晶圆的贴合面形成所述绝缘膜；经由所述绝缘膜将所述基底晶圆的所述改性硅层的表面与所述接合晶圆贴合；以及将经过贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层。由此，能够提供谐波特性良好的贴合SOI晶圆。

公开(公告)号：CN112262455B

公开(公告)日：2024-08-16

申请号：CN201980039406.1

申请日：2019-05-14

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 今井俊和 ,  吉田和彦 ,  二井谷美保 ,  若林大士 ,  石川修

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种贴合SOI晶圆的制造方法，具有以下工序：使用电阻率100Ω·cm以上的单晶硅晶圆作为基底晶圆，在所述基底晶圆的贴合面侧形成底层绝缘膜；在所述底层绝缘膜的表面堆积多晶硅层；对所述多晶硅层的表面进行研磨；对研磨后的所述多晶硅层进行离子注入以将所述多晶硅层改性，而形成改性硅层；在所述接合晶圆的贴合面形成所述绝缘膜；经由所述绝缘膜将所述基底晶圆的所述改性硅层的表面与所述接合晶圆贴合；以及将经过贴合的所述接合晶圆薄膜化而形成SOI层。由此，能够提供谐波特性良好的贴合SOI晶圆。