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公开(公告)号：CN115602650A
公开(公告)日：2023-01-13
申请号：CN202210780298.7
申请日：2022-07-04
Applicant: 佳能株式会社(JP)
IPC: H01L23/48 , H01L21/768
Abstract: 公开了半导体设备、装备以及半导体设备的制造方法。一种半导体设备包括包含第一半导体基板和第一布线结构的第一半导体组件、以及包含第二半导体基板和第二布线结构的第二半导体组件。第一半导体组件的第一表面和第二半导体组件的第二表面接合在一起。假定具有分别与通过将第一表面、第二表面、第一布线结构和第二布线结构垂直地投影在虚拟平面上而获得的形状对应的外周的区域分别是第一区域至第四区域，第一区域的面积小于第二区域的面积，第一区域的整个外周被包括在第二区域中，第四区域的面积小于第三区域的面积，并且第四区域的整个外周被包括在第三区域中。
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