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公开(公告)号:CN105321970A
公开(公告)日:2016-02-10
申请号:CN201510320636.9
申请日:2015-06-12
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14689 , H01L21/78 , H01L27/14612 , H01L27/14632 , H01L27/14636 , H01L27/14641 , H01L27/14687
Abstract: 公开了一种制造固态图像传感器的方法和固态图像传感器。该方法包括准备晶片,所述晶片包括设置了光电转化元件的像素区、设置了用于构成周边电路的周边MOS晶体管的栅电极的周边电路区、和划片区。所述方法包括形成覆盖像素区、周边电路区和划片区的绝缘膜,以及通过蚀刻绝缘膜在栅电极的侧表面上形成侧壁间隔物使得部分绝缘膜保留以覆盖像素区和划片区,以及通过使用覆盖像素区和划片区的绝缘膜作为用于保护以不受硅化影响的掩模在周边电路区中形成金属硅化物层。
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公开(公告)号:CN107591418B
公开(公告)日:2022-01-14
申请号:CN201710544402.1
申请日:2017-07-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/144 , H01L27/146
Abstract: 一种光电转换设备、成像系统、及光电转换设备的制造方法,该光电转换设备包括设置在光电转换单元上方的波导构件,以及设置在基板上方并且包围波导构件的至少一部分的绝缘构件。波导构件具有从基板依次布置的第一侧面、第二侧面和第三侧面。第一侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第三侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第二侧面的倾斜角小于90度。
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公开(公告)号:CN107591418A
公开(公告)日:2018-01-16
申请号:CN201710544402.1
申请日:2017-07-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/14 , H01L27/144 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14625 , G05D1/0246 , H01L27/14603 , H01L27/14612 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14627 , H01L27/14629 , H01L27/14636 , H01L27/14643 , H01L27/14685
Abstract: 一种光电转换设备、成像系统、及光电转换设备的制造方法,该光电转换设备包括设置在光电转换单元上方的波导构件,以及设置在基板上方并且包围波导构件的至少一部分的绝缘构件。波导构件具有从基板依次布置的第一侧面、第二侧面和第三侧面。第一侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第三侧面的倾斜角小于第二侧面的倾斜角。第二侧面的倾斜角小于90度。
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