电子源的制造方法
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1249767C

    公开(公告)日:2006-04-05

    申请号:CN02143804.8

    申请日:2002-09-27

    CPC classification number: H01J9/027

    Abstract: 一种电子源的制造方法,在激活工序中,多级地切换激活气体分压的设定值,而且,在切换设定值之后的预定时间的期间不施加补偿电压。或者,一边切换1条行布线或列布线,一边反复进行多次,而且,在切换1条行布线或列布线之后的预定时间的期间不施加所述补偿电压。由此,可以对全部电子发射元件进行均匀的激活处理。

    图像显示设备
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN102122598A

    公开(公告)日:2011-07-13

    申请号:CN201110002449.8

    申请日:2011-01-07

    Abstract: 本发明涉及图像显示设备。一种图像显示设备包括后板,该后板包括:多个电子发射器件,其中每个包括一对电极和电子发射单元;多个第一布线,其中每个使排列在同一行处的电子发射器件的作为一对电极中的一个的电极互相连接;多个第二布线,其中每个使排列在同一列处的电子发射器件的作为一对电极中的另一个的电极互相连接,并且电阻比第一布线的电阻高;绝缘层,覆盖第二布线;和电阻膜,与第一布线连接且与第二布线部分地交迭以便覆盖绝缘层,并且具有设定为108Ω/□或更大的表面电阻。电阻膜在不与第二布线交迭的部分处与第一布线连接,并且在电阻膜的与第一布线连接的部分和与第二布线交迭的部分之间的电阻膜的长度L满足一定关系。

    制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备以及电子源的方法

    公开(公告)号:CN1996538A

    公开(公告)日:2007-07-11

    申请号:CN200610168442.2

    申请日:2006-12-13

    Inventor: 竹上毅

    Abstract: 本发明的目的是提供简便地、以低电能在短时间内制造可以提供良好的电子发射特性的间隙。提供一种制造电子发射器件的方法,包括使电流流过导电膜的过程,该膜包含第一颗粒,和其阻抗低于第一颗粒的阻抗的第二颗粒,从而在上述的导电膜的一部分中形成间隙,其中,上述的膜中包含的上述的第一颗粒的比率不小于2%并且不大于30%,上述的第一颗粒的阻抗与上述的第二颗粒的阻抗的比率不小于5并且不大于1000。

    采用电子发射器件的电子装置及成像装置

    公开(公告)号:CN1133199C

    公开(公告)日:2003-12-31

    申请号:CN98107781.1

    申请日:1998-04-28

    CPC classification number: H01J29/028 H01J31/127 H01J2201/3165

    Abstract: 本发明公开了一种带有电子发射器件的电子装置,其中的支持元件保持带有电子发射器件的第一衬底与面对第一衬底的第二衬底之间的间距。在这种结构中,支持元件由绝缘材料制成,且在大致直线排列的多个电子发射器件中,二个通过支持元件而彼此相邻的电子发射器件的排列间距大于二个中间没有支持元件而彼此相邻的电子发射器件之间的间距。

    采用电子发射器件的电子装置及成像装置

    公开(公告)号:CN1201997A

    公开(公告)日:1998-12-16

    申请号:CN98107781.1

    申请日:1998-04-28

    CPC classification number: H01J29/028 H01J31/127 H01J2201/3165

    Abstract: 本发明公开了一种带有电子发射器件的电子装置,其中的支持元件保持带有电子发射器件的第一衬底与面对第一衬底的第二衬底之间的间距。在这种结构中,支持元件由绝缘材料制成,且在大致直线排列的多个电子发射器件中,二个通过支持元件而彼此相邻的电子发射器件的排列间距大于二个中间没有支持元件而彼此相邻的电子发射器件之间的间距。

    制造电子发射器件的方法和制造图像显示设备以及电子源的方法

    公开(公告)号:CN100565756C

    公开(公告)日:2009-12-02

    申请号:CN200610168442.2

    申请日:2006-12-13

    Inventor: 竹上毅

    Abstract: 本发明的目的是提供简便地、以低电能在短时间内制造可以提供良好的电子发射特性的间隙。提供一种制造电子发射器件的方法,包括使电流流过导电膜的过程,该膜包含第一颗粒,和其阻抗低于第一颗粒的阻抗的第二颗粒,从而在上述的导电膜的一部分中形成间隙,其中,上述的膜中包含的上述的第一颗粒的比率不小于2%并且不大于30%,上述的第一颗粒的阻抗与上述的第二颗粒的阻抗的比率不小于5并且不大于1000。

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