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公开(公告)号：CN101976674A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN201010520779.1
申请日：2007-03-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14645
Abstract: 本发明公开了一种图像拾取装置和图像拾取系统。该图像拾取装置包括：设置在半导体衬底上的多个光电转换元件；设置在该半导体衬底上的多个布线层；第一绝缘层，覆盖所述多个布线层中的顶部布线层，并且具有平坦的上表面；设置在该第一绝缘层上的钝化层；设置在钝化层上的第二绝缘层，设置在第一绝缘层和钝化层之间的第一防反射膜；以及设置在第二绝缘层和钝化层之间的第二防反射膜。
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公开(公告)号：CN101034712A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710085695.8
申请日：2007-03-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14645
Abstract: 本发明的图像拾取装置包括：设置在半导体衬底上的多个光电转换元件；设置在半导体衬底上的包括多个层间绝缘膜的多层布线结构；设置在该多层布线结构上的钝化层。在钝化层的下表面之下设置了第一绝缘层；在钝化层的上表面之上设置了第二绝缘层；钝化层和第一绝缘层的折射率互不相同，钝化层和第二绝缘层的折射率互不相同。此外，对层间绝缘膜和第一绝缘层中的至少一层进行了平面化处理。另外，在钝化层和第一绝缘层之间设置了第一防反射膜；在钝化层和第二绝缘层之间设置了第二防反射膜。
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公开(公告)号：CN101976674B
公开(公告)日：2012-08-22
申请号：CN201010520779.1
申请日：2007-03-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14645
Abstract: 本发明公开了一种图像拾取装置和图像拾取系统。该图像拾取装置包括：设置在半导体衬底上的多个光电转换元件；设置在该半导体衬底上的多个布线层；第一绝缘层，覆盖所述多个布线层中的顶部布线层，并且具有平坦的上表面；设置在该第一绝缘层上的钝化层；设置在钝化层上的第二绝缘层，设置在第一绝缘层和钝化层之间的第一防反射膜；以及设置在第二绝缘层和钝化层之间的第二防反射膜。
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公开(公告)号：CN101034712B
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：CN200710085695.8
申请日：2007-03-06
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/335 , H04N5/225
CPC classification number: H01L27/14632 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14623 , H01L27/14625 , H01L27/14627 , H01L27/14645
Abstract: 本发明的图像拾取装置包括：设置在半导体衬底上的多个光电转换元件；设置在半导体衬底上的包括多个层间绝缘膜的多层布线结构；设置在该多层布线结构上的钝化层。在钝化层的下表面之下设置了第一绝缘层；在钝化层的上表面之上设置了第二绝缘层；钝化层和第一绝缘层的折射率互不相同，钝化层和第二绝缘层的折射率互不相同。此外，对层间绝缘膜和第一绝缘层中的至少一层进行了平面化处理。另外，在钝化层和第一绝缘层之间设置了第一防反射膜；在钝化层和第二绝缘层之间设置了第二防反射膜。
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