公开(公告)号：CN1035850C

公开(公告)日：1997-09-10

申请号：CN91103964.3

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  石敬治 ,  浅羽哲朗

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/70 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/66416 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

Abstract: 一种制造包括双极晶体管的半导体器件的方法，其步骤为：形成第一导电型的第一半导体区，在第一区上形成第一导电型的第二半导体区，在第二区上形成第二导电型的第三半导体区，在第三区上形成第一导电型半导体的第四区，在第二区域内形成一个槽，在第三和第四区内形成接触孔，在槽内和第三及第四区的接触孔内分别形成在集、基和发射电极，在相应步骤中槽和接触孔分别被充满金属材料。

公开(公告)号：CN1059234A

公开(公告)日：1992-03-04

申请号：CN91103964.3

申请日：1991-05-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 片冈有三 ,  一濑敏彦 ,  石敬治 ,  浅羽哲朗

IPC: H01L29/40 ,  H01L29/70 ,  H01L29/784

CPC classification number: H01L29/66416 ,  H01L21/743 ,  H01L21/761 ,  H01L29/0821 ,  H01L29/41708 ,  H01L29/66272

Abstract: 一种含有双极晶体管的半导体器件，设置含有第1导电型的第1半导体区与第1导电型的比前述第1半导区还高的电阻率的第2半导体区的收集区、含有第2导电型的半导体区的基区以及含有第1导电型半导体区的发射区。在该收集区的上述第2半导体区层内，设置了连接上述第1半导体区与上述收集区上面的收集极的金属层区。