公开(公告)号：CN100459013C

公开(公告)日：2009-02-04

申请号：CN200410011479.5

申请日：2004-12-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 宇田芳己 ,  柳泽芳浩 ,  石渡和也

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/027

Abstract: 提供一种电子发射元件、电子源及图像显示装置的制造方法。在该电子发射元件的制造方法中，在对在基板上形成的导电膜进行清洗处理并去除异物之后，对去除了该异物的导电膜实施通电而在该导电膜上形成电子发射部。所以，可提供防止由于异物存在引起的电子发射部的形成不良并具有良好的电子发射特性的电子发射元件。

公开(公告)号：CN1645538A

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：CN200410011479.5

申请日：2004-12-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 宇田芳己 ,  柳泽芳浩 ,  石渡和也

IPC: H01J9/02

CPC classification number: H01J9/027

Abstract: 提供一种电子发射元件、电子源及图像显示装置的制造方法。在该电子发射元件的制造方法中，在对在基板上形成的导电膜进行清洗处理并去除异物之后，对去除了该异物的导电膜实施通电而在该导电膜上形成电子发射部。所以，可提供防止由于异物存在引起的电子发射部的形成不良并具有良好的电子发射特性的电子发射元件。

公开(公告)号：CN1107883C

公开(公告)日：2003-05-07

申请号：CN95121855.7

申请日：1995-11-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柳泽芳浩 ,  金子哲也

IPC: G03F7/00 ,  H01J9/02 ,  B41M1/10

CPC classification number: H01J9/027

Abstract: 公开了一个生产电子源基片的方法，该基片包括许多电子发射装置，每个电子发射装置都包括一对相对的电极，许多电子发射装置安排在基片上。此方法包括的步骤有：具有对应电极图案的凹进部分的照相凹版的制备，凹陷的部分的深度范围为4μm至15μm，用油墨填充凹陷部分，把膜压在照相凹版上以至于油墨从凹陷部分内转移到膜上，以及使膜与基片相接触以至于油墨从膜上转移到基片上，因而在其上形成电极图案。

公开(公告)号：CN1155102A

公开(公告)日：1997-07-23

申请号：CN95121855.7

申请日：1995-11-24

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 柳泽芳浩 ,  金子哲也

IPC: G03F7/00 ,  G09F9/00

CPC classification number: H01J9/027

Abstract: 公开了一个生产电子源基片的方法，该基片包括许多电子发射装置，每个电子发射装置都包括一对相对的电极，许多电子发射装置安排在基片上。此方法包括的步骤有：具有对应电极图案的凹进部分的照相凹版的制备，凹陷的部分的深度范围为4μm至15μm，用油墨填充凹陷部分，把膜压在照相凹版上以至于油墨从凹陷部分内转移到膜上，以及使膜与基片相接触以至于油墨从膜上转移到基片上，因而在其上形成电极图案。