电子照相用导电性构件、处理盒和电子照相设备

    公开(公告)号:CN107430368B

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN201680018845.0

    申请日:2016-03-23

    Abstract: 提供一种能够使可充电体长期稳定地带电的电子照相用导电性构件。所述导电性构件包括导电性支承体和在所述导电性支承体上的表面层。所述表面层具有三维连续的骨架和沿厚度方向连通的孔,当拍摄所述表面层的表面的任意的尺寸为150μm见方的区域,并且在垂直方向上等分成60份且在水平方向上等分成60份以形成3,600个正方形时,包括通孔的正方形的数量为100个以下。骨架为非导电性的且包括通过颈部相互连接的多个颗粒,和所述颗粒的圆当量直径的平均值D1为0.1μm以上且20μm以下。

    电子照相构件、其制造方法、处理盒和电子照相图像形成设备

    公开(公告)号:CN117222947A

    公开(公告)日:2023-12-12

    申请号:CN202280031175.1

    申请日:2022-04-08

    Abstract: 提供一种电子照相构件,其甚至在低硬度氨基甲酸酯弹性体的情况下,表现出快速的变形回复并且可以抑制条纹状图像缺陷。电子照相构件包括芯轴和设置在芯轴的外周上的弹性层。弹性层包含氨基甲酸酯弹性体,氨基甲酸酯弹性体具有基质和分散在基质中的多个域。弹性层的厚度方向的截面中测量的域的弹性模量小于基质的弹性模量,弹性层的23℃的温度下的微橡胶硬度为20以上且50以下。在23℃下利用纳米压痕仪对弹性层进行的压痕试验中,其中试验包括用维氏压头以10mN/30sec的加载速率进行压痕,在10mN的载荷下保持60秒,然后卸载,卸载5秒后的应变为1μm以下。

    导电性构件、处理盒和电子照相设备

    公开(公告)号:CN104516234B

    公开(公告)日:2017-04-19

    申请号:CN201410503046.5

    申请日:2014-09-26

    CPC classification number: G03G15/0291 G03G15/0233 G03G15/1685

    Abstract: 本发明涉及导电性构件、处理盒和电子照相设备。导电性构件具有导电性支承体和形成于导电性支承体上的表面层,其中表面层具有有连续开孔的多孔体,并且导电性构件满足以下(1)和(2):(1)在特定条件下,自从放电完成经过10秒后,导电性构件的表面电位为10V以上;和(2)当在作为被充电构件的聚对苯二甲酸乙二酯膜与导电性构件之间施加直流电压,并且使聚对苯二甲酸乙二酯膜充电时,在|Vin|>|Vth|的范围内满足|Vd|≥|Vin|‑|Vth|,其中,Vd表示聚对苯二甲酸乙二酯膜的充电电位,Vin表示导电性构件与聚对苯二甲酸乙二酯膜之间施加的电压,Vth表示放电起始电压。

    含聚氨酯的非发泡成形体
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117881516A

    公开(公告)日:2024-04-12

    申请号:CN202280058730.X

    申请日:2022-08-26

    Abstract: 提供一种展现优异的耐碎裂性并且能够稳定地展现优异的清洁性能的成形体。该含聚氨酯的非发泡成形体是:如果假设以贯穿成形体并通过成形体的重心G和成形体表面上位于距重心G最短距离的点的方式绘制直线L,则在直线L上与成形体重叠的部分中最长线段LM的长度为至少180μm。如果HM1表示在成形体的表面上线段LM的一个端部A所处的点SA处测量的马氏硬度,并且HM2、HM3和HM4表示在成形体的包括线段LM的整个长度的截面中,从线段LM的端部A朝向线段LM的另一端间隔为30μm的三个点处测量的马氏硬度,则HM2>HM3>HM4。HM1为1.0N/mm2以上。关于由包括点SA的成形体的散射曲线确定的指标值kω,如果kω1表示在θ=0.5°时的该指标值,kω2表示在θ=1.0°时的该指标值,并且kω3表示在θ=3.0°时的该指标值,则kω1>kω2>kω3。所述被评价表面区域的冲蚀率E为0.6μm/g以下。

    电子照相导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备

    公开(公告)号:CN114585975B

    公开(公告)日:2023-12-22

    申请号:CN202080073099.1

    申请日:2020-10-14

    Abstract: 电子照相导电性构件依次包括导电性支承体、导电层和表面层。导电层包括包含第一橡胶的交联产物的基体和分散在基体中的多个域。域包含第二橡胶的交联产物和电子导电剂。当将在特定环境和特定条件下对导电层的外表面测量阻抗时,在频率为横坐标和阻抗为纵坐标的双对数坐标图上,在高频率下的斜率为‑0.8至‑0.3,并且在低频率下的阻抗为1.0×104Ω~1.0×1011Ω。此外,在特定环境和特定条件下对电子照相导电性构件的外表面测量的在低频率下的5 11阻抗为1.0×10Ω~1.0×10 Ω。

    导电性构件、处理盒和电子照相图像形成设备

    公开(公告)号:CN114585975A

    公开(公告)日:2022-06-03

    申请号:CN202080073099.1

    申请日:2020-10-14

    Abstract: 导电性构件依次包括导电性支承体、导电层和表面层。导电层包括包含第一橡胶的交联产物的基体和分散在基体中的多个域。域包含第二橡胶的交联产物和电子导电剂。当将在特定环境和特定条件下对导电层的外表面测量阻抗时,在频率为横坐标和阻抗为纵坐标的双对数坐标图上,在高频率下的斜率为‑0.8至‑0.3,并且在低频率下的阻抗为1.0×104Ω~1.0×1011Ω。此外,在特定环境和特定条件下对导电性构件的外表面测量的在低频率下的阻抗为1.0×105Ω~1.0×1011Ω。

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