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公开(公告)号:CN111954930B
公开(公告)日:2024-10-29
申请号:CN201980024730.6
申请日:2019-04-04
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H01L31/10 , H04N25/704 , H04N25/772 , H04N25/70 , H04N25/40
Abstract: 公开了摄像装置,其能够进行使用相位差检测方法的焦点检测,并且获得与在拍摄图像时不对光瞳进行分割的情况下获得的散景相同的散景。摄像装置包括按多个行和多个列配置的多个像素。像素包括设置在半导体基板的表面部中的第一导电型的多个第一半导体区域和设置在半导体基板的表面部中的多个第一半导体区域之间的第二导电型的第二半导体区域。像素包括:受光单元,其中光电二极管各自配置在第二半导体区域和多个第一半导体区域之一之间;以及淬灭电路,其各自连接至多个第一半导体区域中的相应第一半导体区域。像素还包括连接至多个第一半导体区域和多个淬灭电路之间的各个连接节点的计数单元,计数单元对响应于光子入射到受光单元上而生成的脉冲进行计数。第二半导体区域被设置成遍及半导体基板的与多个第一半导体区域相比更深的部分。
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公开(公告)号:CN111954930A
公开(公告)日:2020-11-17
申请号:CN201980024730.6
申请日:2019-04-04
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 公开了摄像装置,其能够进行使用相位差检测方法的焦点检测,并且获得与在拍摄图像时不对光瞳进行分割的情况下获得的散景相同的散景。摄像装置包括按多个行和多个列配置的多个像素。像素包括设置在半导体基板的表面部中的第一导电型的多个第一半导体区域和设置在半导体基板的表面部中的多个第一半导体区域之间的第二导电型的第二半导体区域。像素包括:受光单元,其中光电二极管各自配置在第二半导体区域和多个第一半导体区域之一之间;以及淬灭电路,其各自连接至多个第一半导体区域中的相应第一半导体区域。像素还包括连接至多个第一半导体区域和多个淬灭电路之间的各个连接节点的计数单元,计数单元对响应于光子入射到受光单元上而生成的脉冲进行计数。第二半导体区域被设置成遍及半导体基板的与多个第一半导体区域相比更深的部分。
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