公开(公告)号：CN104253138B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201410302220.X

申请日：2014-06-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 田添浩一 ,  有岛优 ,  冲田彰 ,  大下内和樹 ,  大田康晴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及光电转换装置和成像系统。一种光电转换装置包括：构造第一光电转换元件的第一导电类型的第一半导体区；构造第二光电转换元件的第一导电类型的第二半导体区；第一导电类型的第三半导体区；第一导电类型的第四半导体区；协同构造第一传输晶体管的第一栅电极；以及构造第二传输晶体管的第二栅电极。在半导体基底表面的平面图中在第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的位置处，第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的长度比有源区的长度短，并且第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的长度比第一半导体区的长度长。

公开(公告)号：CN104253138A

公开(公告)日：2014-12-31

申请号：CN201410302220.X

申请日：2014-06-27

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 田添浩一 ,  有岛优 ,  冲田彰 ,  大下内和樹 ,  大田康晴

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14603 ,  H01L27/14607 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/1463 ,  H01L27/14641 ,  H01L27/14689

Abstract: 本发明涉及光电转换装置和成像系统。一种光电转换装置包括：构造第一光电转换元件的第一导电类型的第一半导体区；构造第二光电转换元件的第一导电类型的第二半导体区；第一导电类型的第三半导体区；第一导电类型的第四半导体区；协同构造第一传输晶体管的第一栅电极；以及构造第二传输晶体管的第二栅电极。在半导体基底表面的平面图中在第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的位置处，第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的长度比有源区的长度短，并且第一栅电极朝向第一半导体区的侧边的长度比第一半导体区的长度长。