公开(公告)号：CN1074167C

公开(公告)日：2001-10-31

申请号：CN96101335.4

申请日：1996-01-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大内朗弘 ,  大图逸男 ,  坂下辛彦

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L27/1203

Abstract: 在一个包括具有放大电路的信号输入部分的半导体装置中(该放大电路含有一个、两个或两个以上的绝缘栅晶体管(MIS Tr))，信号输入部分的一个MIS Tr或者两个或两个以上的MIS Tr中的至少一个(M1)是具有一种传导性沟道型的MIS Tr。具有一种传导性沟道型的MIS Tr(M1)形成于一个半导体区域中，该区域和形成于非信号输入部分的电路部分的其他的MIS Tr(M3)之间电气绝缘，使得信号放大电路的输入阈值电平与输入信号的DC电平相一致，以此来防止误动作。

公开(公告)号：CN1135681A

公开(公告)日：1996-11-13

申请号：CN96101335.4

申请日：1996-01-31

Applicant: 佳能株式会社

Inventor： 大内朗弘 ,  大图逸男 ,  坂下辛彦

IPC: H03F1/52

CPC classification number: H01L27/092 ,  H01L27/1203

Abstract: 在一个包括具有放大电路的信号输入部分的半导体装置中(该放大电路含有一个、两个或两个以上的绝缘栅晶体管(MIS，Tr))，信号输入部分的一个MIS Tr或者两个或两个以上的MIS Tr中的至少一个(M1)是具有一种传导性沟道型的MIS Tr。具有一种传导性沟道型的MIS Tr(M1)形成于一个半导体区域中，该区域和形成于非信号输入部分的电路部分的其他的MIS Tr(M3)之间电气绝缘，使得信号放大电路的输入阈值电平与输入信号的DC电平相一致，以此来防止误动作。