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公开(公告)号：CN1106163A
公开(公告)日：1995-08-02
申请号：CN93119316.8
申请日：1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L29/456 , H01L21/28512 , H01L21/76879 , H01L23/485 , H01L29/41 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种直接与半导体元件的半导体区域相连的电极，其形状基本为方柱形。将与所述电极与半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L，另一边定义为W，基本上与所述表面垂直相交方向上的长度定义为H，则使L、W、H满足L＞H＞W的关系式。
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公开(公告)号：CN1037301C
公开(公告)日：1998-02-04
申请号：CN93119316.8
申请日：1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L29/456 , H01L21/28512 , H01L21/76879 , H01L23/485 , H01L29/41 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种直接与半导体元件的半导体区域相连的电极，其形状基本为方柱形。将与所述电极与半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L，另一边定义为W，基本上与所述表面垂直相交方向上的长度定义为H，则使L、W、H满足L＞H＞W的关系式。
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公开(公告)号：CN1021943C
公开(公告)日：1993-08-25
申请号：CN91104304.7
申请日：1991-06-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L29/66166 , H01L21/28537 , H01L29/47 , H01L29/7308 , H01L29/7839 , H01L29/872
Abstract: 一种肖特基结半导体器件，包括由n型半导体构成的第一半导体区；由电阻高于所述第一半导体区的n型半导体构成的第二半导体区；设在所述第二半导体区附近并且上面带孔的绝缘膜；设在所述孔内的电极区；以及设在所述绝缘膜与所述电极区之间接合处的由p型半导体构成的第三半导体区。电极区由单晶金属构成，并与所述第二半导体区构成肖特基结。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1056955A
公开(公告)日：1991-12-11
申请号：CN91103576.1
申请日：1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L27/10829 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种含静电电容元件的半导体装置及其制造方法，该装置含有由半导体基体上形成的Al区域和在该Al区域表面上形成的Al氧化膜，及将该Al氧化膜夹在中间而与上述Al区域相对的电极构成的电容器；其方法包括两个工序，即通过利用烷基铝氢化物的气体和氢的CVD法，堆积Al、或以Al为主要成分的金属，形成构成上述电容器的电极一侧的工序，以及在上述电极一侧表面上形成氧化铝膜的工序。
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公开(公告)号：CN1027946C
公开(公告)日：1995-03-15
申请号：CN91103577.X
申请日：1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L29/44 , H01L21/285 , H01L21/90
CPC classification number: H01L29/456 , H01L21/28512 , H01L21/76879 , H01L23/485 , H01L29/41 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于半导体元件直接与半导体元件的半导体区域相连的电极的形状基本上做成方形柱状。当与所说的电极内的半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L，另一边为W，基本上与所说的表面垂直相交的方向的长度为H时，L、W、H满足L＞H＞W的关系式。
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公开(公告)号：CN1056954A
公开(公告)日：1991-12-11
申请号：CN91103577.X
申请日：1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L29/456 , H01L21/28512 , H01L21/76879 , H01L23/485 , H01L29/41 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种用于半导体元件直接与半导体元件的半导体区域相连的电极的形状基本上做成方形柱状。当与所说的电极内的半导体区域相接触的表面的一个边的长度定义为L，另一边为W，基本上与所说的表面垂直相交的方向的长度为H时，L、W、H满足L＞H＞W的关系式。
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公开(公告)号：CN1040265C
公开(公告)日：1998-10-14
申请号：CN91103576.1
申请日：1991-05-31
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/00
CPC classification number: H01L27/10829 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种制造半导体集成电路器件的方法，其包括以下步骤，在栅极绝缘膜中形成一个矩形的宽W长L的开口，其中W≤L，通过使用包括烷基铝氢化物和氢的蒸气的选择性化学淀积在所述开口中淀积铝或以铝为主要成分的金属，以便制出具有长方体形状且高为H，H＞W的下层电极；通过氧化下层电极的表面，在所述电容器下层电极的露出的表面上形成绝缘膜；在所述绝缘膜上形成一个电容器上部电极。
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公开(公告)号：CN1058117A
公开(公告)日：1992-01-22
申请号：CN91104304.7
申请日：1991-06-29
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H01L29/66166 , H01L21/28537 , H01L29/47 , H01L29/7308 , H01L29/7839 , H01L29/872
Abstract: 一种肖特基结半导体器件，包括由n型半导体构成的第一半导体区；由电阻高于所述第一半导体区的n型半导体构成的第二半导体区；设在所述第二半导体区附近并且上面带孔的绝缘膜；设在所述孔内的电极区；以及设在所述绝缘膜与所述电极区之间接合处的由p型半导体构成的第三半导体区。电极区由单晶金属构成，并与所述第二半导体区构成肖特基结。
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