公开(公告)号：CN108352400B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201680063745.X

申请日：2016-10-27

Applicant: 佛罗里达大学研究基金会有限公司 ,  瓦里安半导体设备公司

Inventor： 凯文·S·琼斯 ,  克里斯多夫·哈特姆 ,  威廉·M·布鲁尔

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

Abstract: 提供了包括硅纳米线和包封的硅纳米岛的各种纳米结构以及制作所述纳米结构的方法。该方法可以包括提供在衬底上方延伸的鳍结构，其中，所述鳍结构具有限定了该鳍结构的侧壁的至少一个硅层和至少两个硅锗合金(SiGe)层；以及在氧气中对所述鳍结构进行退火以形成硅纳米线组件。所述硅纳米线组件可以包括硅纳米线、包围硅纳米线的SiGe基质；以及设置在SiGe基质上的氧化硅层。退火可以是例如在800℃与1000℃之间温度进行五分钟至六十分钟。所述硅纳米线可以具有沿鳍轴延伸的长轴，和沿垂直于鳍轴的方向延伸小于50nm的垂直的第一尺寸和第二尺寸。

公开(公告)号：CN108352400A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201680063745.X

申请日：2016-10-27

Applicant: 佛罗里达大学研究基金会有限公司 ,  瓦里安半导体设备公司

Inventor： 凯文·S·琼斯 ,  克里斯多夫·哈特姆 ,  威廉·M·布鲁尔

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/417 ,  H01L29/06

CPC classification number: H01L29/155 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/02236 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/324 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了包括硅纳米线和包封的硅纳米岛的各种纳米结构以及制作所述纳米结构的方法。该方法可以包括提供在衬底上方延伸的鳍结构，其中，所述鳍结构具有限定了该鳍结构的侧壁的至少一个硅层和至少两个硅锗合金(SiGe)层；以及在氧气中对所述鳍结构进行退火以形成硅纳米线组件。所述硅纳米线组件可以包括硅纳米线、包围硅纳米线的SiGe基质；以及设置在SiGe基质上的氧化硅层。退火可以是例如在800℃与1000℃之间温度进行五分钟至六十分钟。所述硅纳米线可以具有沿鳍轴延伸的长轴，和沿垂直于鳍轴的方向延伸小于50nm的垂直的第一尺寸和第二尺寸。