公开(公告)号：CN1681620A

公开(公告)日：2005-10-12

申请号：CN03821944.1

申请日：2003-09-12

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 森伸干 ,  森本圭

IPC: B23K35/26 ,  H05K3/34

CPC classification number: C22C13/02 ,  B23K35/0227 ,  B23K35/262 ,  B23K2101/40 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01052 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29199 ,  H01L2224/29299 ,  H01L2224/2929

Abstract: 在传统的Sn/Sb型钎料中，其缺点在于：β’相中的大颗粒易于沉淀并且在元件和焊接部分易于现裂缝，并且在半导体元件的芯片焊接面上涂敷上述特殊涂层时形成空洞。本发明的钎料包括：5％至20％重量的Sb和0.01％至5％重量的Te，其余为Sn以及附带的杂质；或者，一种钎料包括：5％至20％重量的Sb、0.01％至5％重量的Te、0.001％至0.5重量的P，其余为Sn和附带的杂质。

公开(公告)号：CN100404193C

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN03821944.1

申请日：2003-09-12

Applicant: 住友金属矿山株式会社

Inventor： 森伸干 ,  森本圭

IPC: B23K35/26 ,  H05K3/34

Abstract: 在传统的Sn/Sb型钎料中，其缺点在于：β’相中的大颗粒易于沉淀并且在元件和焊接部分易于现裂缝，并且在半导体元件的芯片焊接面上涂敷上述特殊涂层时形成空洞。本发明的钎料包括：5%至20%重量的Sb和0.01%至5%重量的Te，其余为Sn以及附带的杂质；或者，一种钎料包括：5%至20%重量的Sb、0.01%至5%重量的Te、0.001%至0.5重量的P，其余为Sn和附带的杂质。