-
公开(公告)号:CN115066421B
公开(公告)日:2025-02-21
申请号:CN202180013360.3
申请日:2021-02-08
Applicant: 住友精化株式会社
IPC: C07D327/00
Abstract: 本发明提供能够以更少的原料容易且价格低廉地制造二磺酸亚甲酯化合物的、工业上也有利的二磺酸亚甲酯化合物的制造方法。本发明的二磺酸亚甲酯化合物的制造方法包括:通过使至少一种烷烃磺酸化合物与三氧化硫在选自由亚砜化合物和砜化合物组成的组中的至少一种存在下反应而得到含有烷烃二磺酸化合物的反应物A的步骤A;和通过使由上述步骤A得到的反应物A与甲醛化合物在三氧化硫存在下反应而得到二磺酸亚甲酯化合物的步骤B。
-
公开(公告)号:CN114144407B
公开(公告)日:2024-02-13
申请号:CN202080053055.2
申请日:2020-07-22
Applicant: 住友精化株式会社
IPC: C07D327/00 , C07D327/10
Abstract: 本发明提供能够容易地制造环状二磺酸酯化合物的新制造方法。一种环状二磺酸酯化合物的制造方法,其包括使特定的磺酸化合物与特定的硫酸酯化合物反应的步骤。
-
公开(公告)号:CN115066421A
公开(公告)日:2022-09-16
申请号:CN202180013360.3
申请日:2021-02-08
Applicant: 住友精化株式会社
IPC: C07D327/00
Abstract: 本发明提供能够以更少的原料容易且价格低廉地制造二磺酸亚甲酯化合物的、工业上也有利的二磺酸亚甲酯化合物的制造方法。本发明的二磺酸亚甲酯化合物的制造方法包括:通过使至少一种烷烃磺酸化合物与三氧化硫在选自由亚砜化合物和砜化合物组成的组中的至少一种存在下反应而得到含有烷烃二磺酸化合物的反应物A的步骤A;和通过使由上述步骤A得到的反应物A与甲醛化合物在三氧化硫存在下反应而得到二磺酸亚甲酯化合物的步骤B。
-
公开(公告)号:CN115052858A
公开(公告)日:2022-09-13
申请号:CN202180013315.8
申请日:2021-02-08
Applicant: 住友精化株式会社
IPC: C07C303/06 , C07C309/05
Abstract: 本发明提供能够以高收率容易且价格低廉地制造烷烃二磺酸化合物的、工业上有利的烷烃二磺酸化合物的制造方法。本发明是一种烷烃二磺酸化合物的制造方法,其包括使具有特定结构的至少一种烷烃磺酸化合物与具有路易斯碱和三氧化硫的至少一种络合物反应而得到烷烃二磺酸化合物的步骤。根据本发明的制造方法,能够以高收率容易且价格低廉地制造烷烃二磺酸化合物,工业上是有利的。
-
公开(公告)号:CN114144407A
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202080053055.2
申请日:2020-07-22
Applicant: 住友精化株式会社
IPC: C07D327/00 , C07D327/10
Abstract: 本发明提供能够容易地制造环状二磺酸酯化合物的新制造方法。一种环状二磺酸酯化合物的制造方法,其包括使特定的磺酸化合物与特定的硫酸酯化合物反应的步骤。
-
公开(公告)号:CN112639039A
公开(公告)日:2021-04-09
申请号:CN201980057423.8
申请日:2019-09-17
Applicant: 住友精化株式会社
Inventor: 森山弘健
IPC: C09D201/00 , C09D5/02 , C09D5/44 , C09D7/61 , C09D179/08
Abstract: 本发明提供一种电沉积涂料,其形成有兼顾高绝缘性和高耐热性的被膜。一种电沉积涂料,其含有耐热性树脂前体、水不溶性无机化合物、碱性化合物、有机溶剂和水,上述耐热性树脂前体和上述水不溶性无机化合物的合计100质量%中的上述水不溶性无机化合物的含量为1~30质量%。
-
公开(公告)号:CN108029218A
公开(公告)日:2018-05-11
申请号:CN201680040737.3
申请日:2016-07-01
Applicant: 住友精化株式会社 , 千代达电子制造有限公司
CPC classification number: F28F13/18 , F28F3/025 , F28F2245/06 , H01L23/36 , H01L33/641 , H01L33/642 , H05K7/20 , H05K7/2039
Abstract: 本发明提供轻质并且加工容易、冷却能力优异的散热器。本发明的散热器X1安装于冷却对象物O1,包括由具有导热层1A和叠层于该导热层1A的热辐射层1B的放热片形成的类似筒状的壳1。热辐射层1B形成于壳1的外表面之中的至少离开冷却对象物O1的部分。
-
-
-
-
-
-
-