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公开(公告)号：CN101449341B
公开(公告)日：2014-07-09
申请号：CN200780018363.6
申请日：2007-04-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/30 , C23C14/06 , H01L39/143 , H01L39/2422 , H01L39/2425 , H01L39/2448 , Y10S505/813 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开了一种能够同时获得如高JC和高IC的优良性能并降低成本的超导薄膜材料(1)，所述超导薄膜材料(1)包括取向金属衬底(10)和在该取向金属衬底(10)上形成的氧化物超导膜(30)。所述氧化物超导膜(30)包括通过物理气相沉积法形成的物理气相沉积HoBCO层(31)和通过有机金属沉积法在所述物理气相沉积HoBCO层(31)上形成的有机金属沉积HoBCO层(32)。
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公开(公告)号：CN103548163A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201280024072.9
申请日：2012-05-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 本发明提供了一种故障限流器，其使用超导体，且能在限流操作后快速恢复超导状态。故障限流器被配置成通过使用超导体来执行限流操作，且包括包括超导体的超导构件（包括保持容器（11）、填充物和超导线的构件）、冷却容器（10）和抑制构件（翅片（12））。冷却容器（10）被配置成在其中保持超导构件，且在其中容纳冷却剂（14），以冷却超导构件。抑制构件（翅片（12））被配置成：在限流操作期间由于超导体的温度升高而使冷却剂在超导构件的表面（保持容器（11）的表面）上沸腾时防止冷却剂（14）的沸腾状态从核沸腾状态转变为膜沸腾状态。
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公开(公告)号：CN1708607A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200380102130.6
申请日：2003-10-29
Applicant: 住友电气工业株式会社 , 财团法人国际超电导产业技术研究中心
CPC classification number: H01L39/2458 , C30B23/02 , C30B25/18 , C30B29/22 , C30B29/225 , H01L39/2461
Abstract: 本发明涉及在基底层上形成优质薄膜的技术。该成膜技术可较好地应用于提供，例如在超导线材或超导器件等中能利用的氧化物高温超导体薄膜。其是在基体材料上形成的单晶性薄膜，其特征在于：该薄膜由与基体材料不同的物质构成，在基底层和薄膜中共同地包含的特定的原子层在这些基体材料与薄膜的界面中被共有，在从界面起到薄膜的100个单位晶格以内的界面附近区域中，以基体材料的晶体方位为基准具有偏移角±2度以内的方位而生长的晶体所占的比例大于或等于50％。
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公开(公告)号：CN103548163B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201280024072.9
申请日：2012-05-09
Applicant: 住友电气工业株式会社
Abstract: 提供了一种故障限流器，其使用超导体，且能在限流操作后快速恢复超导状态。故障限流器被配置成通过使用超导体来执行限流操作，且包括包括超导体的超导构件（包括保持容器（11）、填充物和超导线的构件）、冷却容器（10）和抑制构件（翅片（12））。冷却容器（10）被配置成在其中保持超导构件，且在其中容纳冷却剂（14），以冷却超导构件。抑制构件（翅片（12））被配置成：在限流操作期间由于超导体的温度升高而使冷却剂在超导构件的表面（保持容器（11）的表面）上沸腾时防止冷却剂（14）的沸腾状态从核沸腾状态转变为膜沸腾状态。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101385097A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005910.7
申请日：2007-01-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/2432 , H01L39/143 , H01L39/2454
Abstract: 一种制造超导薄膜材料的方法，其包括形成中间层(2)的步骤，形成与中间层(2)相接触的一个超导层(3)的步骤，以及通过气相方法形成与所述一个超导层(3)相接触的另一个超导层(4)的步骤。在形成中间层(2)的步骤和形成一个超导层(3)的步骤之间，将中间层(2)保持在水汽减少的环境或二氧化碳减少的环境中，或者在形成一个超导层(3)的步骤和形成另一个超导层(4)的步骤之间，将所述一个超导层(3)保持在水汽减少的环境或二氧化碳减少的环境中。因此，可以改善临界电流值。
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公开(公告)号：CN101385096A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200780005871.0
申请日：2007-01-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/2422 , C30B19/02 , C30B23/02 , C30B29/225 , H01F6/06 , H01L39/2425 , H01L39/2448
Abstract: 一种制造超导薄膜材料的方法，其包括通过气相方法形成超导层(3)的气相步骤，以及通过液相方法形成超导层(4)的液相步骤，该液相步骤使得后面的超导层(4)与前面的超导层(3)相接触。优选地，该方法还包括在前面的超导层(3)和金属衬底(1)之间形成中间层(2)的步骤。金属衬底(1)由金属制成，并且优选地中间层(2)由具有岩石类型、钙钛矿类型和烧绿石类型中的任意一种晶体结构的氧化物制成，并且前面的超导层(3)和后面的超导层(4)都具有RE123组合物。因此，可以改善临界电流值。
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公开(公告)号：CN101385097B
公开(公告)日：2011-05-11
申请号：CN200780005910.7
申请日：2007-01-17
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: H01L39/2432 , H01L39/143 , H01L39/2454
Abstract: 一种制造超导薄膜材料的方法，其包括形成中间层(2)的步骤，形成与中间层(2)相接触的一个超导层(3)的步骤，以及通过气相方法形成与所述一个超导层(3)相接触的另一个超导层(4)的步骤。在形成中间层(2)的步骤和形成一个超导层(3)的步骤之间，将中间层(2)保持在水汽减少的环境或二氧化碳减少的环境中，或者在形成一个超导层(3)的步骤和形成另一个超导层(4)的步骤之间，将所述一个超导层(3)保持在水汽减少的环境或二氧化碳减少的环境中。因此，可以改善临界电流值。
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公开(公告)号：CN101449341A
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200780018363.6
申请日：2007-04-20
Applicant: 住友电气工业株式会社
CPC classification number: C23C16/30 , C23C14/06 , H01L39/143 , H01L39/2422 , H01L39/2425 , H01L39/2448 , Y10S505/813 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明公开了一种能够同时获得如高JC和高IC的优良性能并降低成本的超导薄膜材料(1)，所述超导薄膜材料(1)包括取向金属衬底(10)和在该取向金属衬底(10)上形成的氧化物超导膜(30)。所述氧化物超导膜(30)包括通过物理气相沉积法形成的物理气相沉积HoBCO层(31)和通过有机金属沉积法在所述物理气相沉积HoBCO层(31)上形成的有机金属沉积HoBCO层(32)。
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