公开(公告)号：CN1257559C

公开(公告)日：2006-05-24

申请号：CN03155310.9

申请日：2003-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 安东孝止 ,  阿部友纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0256 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L31/0296 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明提供一种对蓝色-紫色-近紫外光灵敏的、暗电流低的、可靠性高的ZnSe系光电二极管，由p型单晶GaAs基板；在p型单晶GaAs基板上外延生长的、通过反复叠层p型ZnSe和p型ZnTe使禁带宽度连续变化的超晶格；在超晶格上外延生长的p型Zn1-xMgxSySe1-y层；在p型Zn1-xMgxSySe1-y层上外延生长的i型Zn1-xMgxSySe1-y层；在i型Zn1-xMgxSySe1-y层上外延生长的n型Zn1-xMgxSySe1-y层；在n型Zn1-xMgxSySe1-y层上形成的n金属电极；以及在p型单晶GaAs基板底面形成的p金属电极构成。

公开(公告)号：CN1445864A

公开(公告)日：2003-10-01

申请号：CN02131853.0

申请日：2002-09-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 安东孝止 ,  中村孝夫

IPC: H01L31/00 ,  G01J1/02

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1832

Abstract: 本发明提供一种在蓝～紫～近紫外区有灵敏度，暗电流低，可靠性高的pin光电二极管和雪崩光电二极管。pin光电二极管的结构是：n型ZnSe单晶基板；在其上直接或在ZnSe基板上形成n型ZnSe缓冲层上进行外延生长的n型ZnMgSSe层；i型ZnMgSSe层；p型ZnMgSSe层；p型超晶格结构层；p型ZnTe层和p电极；n型ZnSe单晶基板上形成的n电极。以及，雪崩光电二极管，其结构是，在n型ZnSe基板上外延生长的n型ZnSe缓冲层、n型ZnMgSSe层、p型ZnMgSSe层、p型ZnSe/ZnTe超晶格层、p型ZnTe层、在p型ZnTe层侧安上p金属电极、在n型ZnSe基板上安上n电极，把p侧细、而n型基板侧粗的侧面端面进行台面蚀刻，用绝缘体层被覆侧面端面。

公开(公告)号：CN1203555C

公开(公告)日：2005-05-25

申请号：CN02131853.0

申请日：2002-09-06

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 安东孝止 ,  中村孝夫

IPC: H01L31/00 ,  G01J1/02

CPC classification number: B82Y20/00 ,  H01L31/02963 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/105 ,  H01L31/107 ,  H01L31/1832

Abstract: 本发明提供一种在蓝～紫～近紫外区有灵敏度，暗电流低，可靠性高的pin光电二极管和雪崩光电二极管，包括：n型ZnSe单晶基板；在其上直接或在ZnSe基板上形成n型ZnSe缓冲层上进行外延生长的n型ZnMgSSe层；i型ZnMgSSe层；p型ZnMgSSe层；p型超晶格结构层；p型ZnTe层和p电极；n型ZnSe单晶基板上形成的n电极。以及，雪崩光电二极管，其结构是，在n型ZnSe基板上外延生长的n型ZnSe缓冲层、n型ZnMgSSe层、p型ZnMgSSe层、p型ZnSe/ZnTe超晶格层、p型ZnTe层、在p型ZnTe层侧安上p金属电极、在n型ZnSe基板上安上n电极，把p侧细、而n型基板侧粗的侧面端面进行台面蚀刻，用绝缘体层涂覆侧面端面。

公开(公告)号：CN1487601A

公开(公告)日：2004-04-07

申请号：CN03155310.9

申请日：2003-08-26

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 安东孝止 ,  阿部友纪 ,  中村孝夫

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/0256 ,  G01J1/02

CPC classification number: H01L31/0296 ,  B82Y20/00 ,  H01L31/02966 ,  H01L31/0328 ,  H01L31/035236 ,  H01L31/107

Abstract: 本发明提供一种对蓝色－紫色－近紫外光灵敏的、暗电流低的、可靠性高的ZnSe系光电二极管，由p型单晶GaAs基板；在p型单晶GaAs基板上外延生长的、通过反复叠层p型ZnSe和p型ZnTe使禁带宽度连续变化的超晶格；在超晶格上外延生长的p型Zn1－xMgxSySe1－y层；在p型Zn1－xMgxSySe1－y层上外延生长的i型Zn1－xMgxSySe1－y层；在i型Zn1－xMgxSySe1－y层上外延生长的n型Zn1－xMgxSySe1－y层；在n型Zn1－xMgxSySe1－y层上形成的n金属电极；以及在p型单晶GaAs基板底面形成的p金属电极构成。