半导体装置的制造方法
    1.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107622951A

    公开(公告)日:2018-01-23

    申请号:CN201710574422.3

    申请日:2017-07-14

    Abstract: 本发明的半导体装置的制造方法依次包括:导体部形成工序,在基板(10)上形成从基板(10)的表面起的高度相同的多个导体部(40);包覆工序,向相邻的导体部(40)的间隙导入热固性树脂组合物(50),以导体部(40)的顶部(92)露出的方式,利用热固性树脂组合物(50)的固化物(60)覆盖导体部(40);和多层配线工序,不对固化物(60)的表面进行研磨,而在固化物(60)之上形成与顶部(92)电连接的金属图案(160)。

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