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公开(公告)号：CN105940511A
公开(公告)日：2016-09-14
申请号：CN201580005558.1
申请日：2015-01-20
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L33/52 , H01L23/296 , H01L33/486 , H01L33/56 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/181 , H01L2933/005 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法，其中，所述半导体发光装置包含基板、元件和密封材料作为构成构件，该制造方法包括：第一工序，在基板上设置元件；第二工序，以覆盖元件的方式在基板上灌封固化前的密封材料；和第三工序，以下述方式使所灌封的密封材料固化，即，在将固化后的厚度t[mm]的密封材料所具有的380nm、316nm及260nm各波长下的吸光度分别设为AbsA(t)、AbsB(t)及AbsC(t)并且将380nm下的光的透射率设为T(t)时，满足下述式(1)、(2)及(3)的全部。(1)T(1.7)≥90％ (2)AbsB(t)－AbsA(t)＜0.011t (3)AbsC(t)－AbsA(t)＜0.125t。
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公开(公告)号：CN108368344A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680074337.4
申请日：2016-12-14
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提供对于制造显示出高耐热冲击性的有机硅系树脂固化物而言有用的有机硅树脂组合物。本发明的有机硅树脂组合物为包含有机硅树脂的树脂组合物，其中，树脂组合物含有的硅原子实质上由选自A1硅原子及A2硅原子中的至少一种硅原子、和A3硅原子组成，相对于A1硅原子、A2硅原子及A3硅原子的总含量而言，A3硅原子的含量的比例为50摩尔％以上99摩尔％以下，与前述硅原子键合的侧链包含碳原子数1～3的烷基、和碳原子数1或2的烷氧基，烷氧基的摩尔比相对于烷基100而言为5以上。
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公开(公告)号：CN106661425A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580039479.2
申请日：2015-07-27
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/06 , C08G77/44 , C08L2201/10 , C08L2203/206 , C08L2205/025 , C09K3/10 , H01L27/156 , H01L33/502 , H01L33/56
Abstract: 本发明提供一种硅酮系密封材料组合物，其包含(A)二官能热固性硅酮树脂、(B)具有羟基的多官能热固性硅酮树脂、以及(C)固化催化剂，(A)成分的重均分子量为300～4500，相对于(A)成分的质量及(B)成分的质量的合计，(B)成分的质量比例为0.5质量％以上且小于100质量％，(B)成分的平均官能数为2.5～3.5，并且构成(B)成分的重复单元相对于(B)成分的总质量而言50质量％以上为三官能型，在光程长度1cm、并且波长600nm时测定出的可见光透射率为70％以上。
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公开(公告)号：CN106030838A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008403.3
申请日：2015-02-06
Applicant: 住友化学株式会社
IPC: H01L33/56
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/62 , H01L2224/16225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48237 , H01L2924/181 , H01L2933/005 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法，其是包含基板、元件和密封材料作为构成构件的半导体发光装置的制造方法，该制造方法包括：第一工序，在基板上设置元件；第二工序，以覆盖元件的方式在基板上灌封选自加成聚合型密封材料及缩聚型密封材料中的至少一种固化前的密封材料(i)；第三工序，使所灌封的固化前的密封材料(i)固化；和第四工序，在覆盖了元件的固化后的密封材料(i)上灌封固化前的缩聚型密封材料(ii)，使所灌封的固化前的缩聚型密封材料(ii)固化，由此层叠密封材料。本发明还提供利用该制造方法制造的半导体发光装置，其为层叠2层以上的密封材料而成的半导体发光装置。
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公开(公告)号：CN106575694B
公开(公告)日：2019-07-16
申请号：CN201580040447.4
申请日：2015-07-27
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法，其包括：在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使该被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖该半导体发光元件的表面的密封部的工序；该硅酮树脂组合物相对于该硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂；该热固化在如下的条件下进行，即，在将热固化前的该硅酮树脂的1000～1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm‑1、将热固化后的该硅酮树脂组合物的950～1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm‑1时，满足5＜a‑b＜20。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106661425B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：CN201580039479.2
申请日：2015-07-27
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种硅酮系密封材料组合物，其包含(A)二官能热固性硅酮树脂、(B)具有羟基的多官能热固性硅酮树脂、以及(C)固化催化剂，(A)成分的重均分子量为300～4500，相对于(A)成分的质量及(B)成分的质量的合计，(B)成分的质量比例为0.5质量％以上且小于100质量％，(B)成分的平均官能数为2.5～3.5，并且构成(B)成分的重复单元相对于(B)成分的总质量而言50质量％以上为三官能型，在光程长度1cm、并且波长600nm时测定出的可见光透射率为70％以上。
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公开(公告)号：CN108368343A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680074322.8
申请日：2016-12-14
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提供对于制造UV稳定性高的有机硅树脂组合物的固化物而言有用的有机硅树脂组合物。本发明的有机硅树脂组合物为包含至少一种有机硅树脂的有机硅树脂组合物，其满足下述(i)～(iii)的要件。(i)含有的硅原子实质上由选自A1硅原子及A2硅原子中的至少一种硅原子、和A3硅原子组成，相对于A1硅原子、A2硅原子及A3硅原子的总含量而言，A3硅原子的含量的比例为50摩尔％以上99摩尔％以下。(ii)与前述硅原子键合的侧链为碳原子数1～3的烷基、碳原子数1或2的烷氧基、或者羟基，烷氧基的摩尔比相对于烷基100而言低于5，羟基的摩尔比相对于烷基100而言为10以上。(iii)实质上不含金属催化剂。
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公开(公告)号：CN106575694A
公开(公告)日：2017-04-19
申请号：CN201580040447.4
申请日：2015-07-27
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体发光装置的制造方法，其包括：在半导体发光元件的表面涂布硅酮树脂组合物的工序、以及通过使该被涂布的硅酮树脂组合物热固化而形成覆盖该半导体发光元件的表面的密封部的工序；该硅酮树脂组合物相对于该硅酮树脂组合物的固体成分的总质量包含60质量％以上的、构成成分的硅原子实质上仅为键合有3个氧原子的硅原子的硅酮树脂；该热固化在如下的条件下进行，即，在将热固化前的该硅酮树脂的1000～1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为acm‑1、将热固化后的该硅酮树脂组合物的950～1050cm‑1处的来自于Si‑O‑Si键的红外吸收光谱的峰位置设为bcm‑1时，满足5＜a‑b＜20。
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公开(公告)号：CN105934483A
公开(公告)日：2016-09-07
申请号：CN201580005745.X
申请日：2015-01-20
Applicant: 住友化学株式会社
CPC classification number: C08G77/18 , C08G77/045 , C08G77/08 , C08G77/16 , C08G2190/00 , C08K5/52 , C08K5/521 , C08K2003/321 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L33/56 , H01L2933/005
Abstract: 本发明涉及磷酸系催化剂的作为UV‑LED用聚倍半硅氧烷系密封材料的固化促进剂的使用，所述UV‑LED用聚倍半硅氧烷系密封材料的固化物的260nm下的光的透射率为65％以上，并提供含有聚倍半硅氧烷系密封材料和磷酸系催化剂的UV‑LED用聚倍半硅氧烷系密封材料组合物。
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公开(公告)号：CN109219892A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201780034189.8
申请日：2017-06-30
Applicant: 住友化学株式会社
Abstract: 提供不易产生裂纹和着色的紫外线发光半导体器件(即，紫外线耐久性高的紫外线发光半导体器件)。紫外线发光半导体器件，其具有基材、配置于上述基材上的紫外线发光元件、和将上述紫外线发光元件的至少一部分密封的密封材料层，上述密封材料层具有第1密封材料层及第2密封材料层，上述第1密封材料层包含加聚型有机硅密封材料或缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有二烷基硅氧烷结构的树脂，上述第2密封材料层包含缩聚型有机硅密封材料，所述缩聚型有机硅密封材料包含具有特定的有机聚硅氧烷结构的树脂，上述第1密封材料层不与上述紫外线发光元件的光射出面相接触。
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