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公开(公告)号：CN104937731A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201480005614.7
申请日：2014-01-23
申请人： 优志旺电机株式会社
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/325
摘要： 本发明的目的在于实现在不会发生由与活性层相邻的n型半导体层的晶格失配引起的课题的情况下确保活性层内的水平方向的电流扩展、提高发光效率的LED元件。LED元件是在支撑基板上使氮化物半导体层进行c轴生长而成的元件，其具有用n型氮化物半导体构成的第1半导体层、电流扩散层、用氮化物半导体构成的活性层、以及用p型氮化物半导体构成的第2半导体层。电流扩散层具有由InxGa1-xN(0＜x≤0.05)构成的第3半导体层与由n-Aly1Gay2Iny3N(0＜y1＜1，0＜y2＜1，0≤y3≤0.05，y1+y2+y3＝1)构成的第4半导体层的异质结，第3半导体层的膜厚为10nm以上且25nm以下。
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公开(公告)号：CN108140698B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201680061503.7
申请日：2016-10-19
申请人： 优志旺电机株式会社
发明人： 三好晃平
IPC分类号： H01L33/32
摘要： 本发明提供发光效率比以往得到了提高的主要发射波长为520nm以上的氮化物半导体发光器件。本发明是主要发射波长为520nm以上的氮化物半导体发光器件，其具备蓝宝石基板和形成于蓝宝石基板的上层的半导体层。半导体层包含第一半导体层、第二半导体层、活性层和第三半导体层，该第一半导体层形成于上述蓝宝石基板的面上，该第二半导体层形成于第一半导体层的上层，掺杂n型或p型的杂质得到，该活性层形成于第二半导体层的上层，该第三半导体层形成于活性层的上层，导电型与第二半导体层不同。蓝宝石基板的厚度X和半导体层的厚度Y满足0.06≤Y/X≤0.12的关系。
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公开(公告)号：CN108140698A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201680061503.7
申请日：2016-10-19
申请人： 优志旺电机株式会社
发明人： 三好晃平
IPC分类号： H01L33/32
摘要： 本发明提供发光效率比以往得到了提高的主要发射波长为520nm以上的氮化物半导体发光器件。本发明是主要发射波长为520nm以上的氮化物半导体发光器件，其具备蓝宝石基板和形成于蓝宝石基板的上层的半导体层。半导体层包含第一半导体层、第二半导体层、活性层和第三半导体层，该第一半导体层形成于上述蓝宝石基板的面上，该第二半导体层形成于第一半导体层的上层，掺杂n型或p型的杂质得到，该活性层形成于第二半导体层的上层，该第三半导体层形成于活性层的上层，导电型与第二半导体层不同。蓝宝石基板的厚度X和半导体层的厚度Y满足0.06≤Y/X≤0.12的关系。
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公开(公告)号：CN105518880A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201480047832.7
申请日：2014-08-06
申请人： 优志旺电机株式会社
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/38
摘要： 本发明提供一种一边确保在发光层流动的电流向水平方向扩展一边进一步提高光提取效率的半导体发光元件。半导体发光元件为在支承基板上具有n型半导体层、p型半导体层以及形成在n型半导体层以及p型半导体层之间的发光层的结构，其具备：n侧电极，形成为底面与n型半导体层的上表面接触；反射电极，上表面与p型半导体层的底面接触，并形成在包含n侧电极形成部位的正下位置的区域；以及第1绝缘层，在n侧电极形成部位的正下位置，形成为上表面与反射电极的底面接触。
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公开(公告)号：CN104937731B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201480005614.7
申请日：2014-01-23
申请人： 优志旺电机株式会社
IPC分类号： H01L33/32
CPC分类号： H01L33/0025 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L33/325
摘要： 本发明的目的在于实现在不会发生由与活性层相邻的n型半导体层的晶格失配引起的课题的情况下确保活性层内的水平方向的电流扩展、提高发光效率的LED元件。LED元件是在支撑基板上使氮化物半导体层进行c轴生长而成的元件，其具有用n型氮化物半导体构成的第1半导体层、电流扩散层、用氮化物半导体构成的活性层、以及用p型氮化物半导体构成的第2半导体层。电流扩散层具有由InxGa1‑xN(0＜x≤0.05)构成的第3半导体层与由n‑Aly1Gay2Iny3N(0＜y1＜1，0＜y2＜1，0≤y3≤0.05，y1+y2+y3＝1)构成的第4半导体层的异质结，第3半导体层的膜厚为10nm以上且25nm以下。
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公开(公告)号：CN105917478A
公开(公告)日：2016-08-31
申请号：CN201580005053.5
申请日：2015-02-02
申请人： 优志旺电机株式会社
发明人： 三好晃平
摘要： 本发明的目的是提供一种沿c轴方向使活性层生长而形成的峰值发光波长为530nm以上的半导体发光元件，与以往相比提高其发光效率。半导体发光元件的峰值发光波长为530nm以上，其具有n型半导体层、形成于n型半导体层的上层的由具有不同带隙的多个氮化物半导体的层叠体构成的超晶格层、形成于超晶格层的上层的活性层和形成于活性层的上层的p型半导体层。活性层是将由InX1Ga1?X1N(0≤X1≤0.01)构成的第一层、由InX2Ga1?X2N(0.2
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公开(公告)号：CN104521011A
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201380041331.3
申请日：2013-08-29
申请人： 优志旺电机株式会社
IPC分类号： H01L33/32 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/325 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L33/025 , H01L33/14
摘要： 本发明提供一种工作电压低、可得到高发光效率的氮化物半导体元件。本发明的氮化物半导体元件具有由n型半导体构成的电子供给层，其特征在于：所述电子供给层具有AlxGa1-xN(其中，0.01＜x≤1)的组成，且n型杂质的浓度为1×1019/cm3以上，厚度为0.5μm以上。此外，优选所述n型杂质为硅(Si)。
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