公开(公告)号：CN1294742A

公开(公告)日：2001-05-09

申请号：CN98813023.8

申请日：1998-11-12

Applicant: 伊利诺伊大学受托管理委员会

Inventor： 乔治·H·米利 ,  布赖恩·E·朱克齐克 ,  顾亦斌 ,  罗伯特·A·斯塔伯斯 ,  迈克尔·J·威廉斯

IPC: G21B1/00

CPC classification number: H05H3/06

Abstract: 一种基于稳态球形惯性静电约束(IEC)结构的设计并利用脉动闸阀栅极(GVP)的脉冲中子/质子源。IEC－GVP装置包括接地导电容器(12);用作阳极;和中央阴极或主栅极(13),与高压电源相连接。另外,中间第二栅极(14)和外部第三栅极(15)与中央阴极(13)同心地安装在容器(12)内部。电子引出器/发射器装置(16)大体对称地分布在容器(12)的球面附近,并包括电子引出器偏转栅极(17)和电子发射器(18),它们有助于增强装置中的定时离子流。使用了两种脉动第二栅极的技术。第一种是低重复率GVP(LR－GVP)工作,第二种是调谐高频脉动,称为谐振离子驱动振荡(RIDO)GVP工作。