公开(公告)号：CN1325117A

公开(公告)日：2001-12-05

申请号：CN01118979.7

申请日：2001-05-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 高尾克一 ,  冈本忠裕 ,  津曲兼温 ,  中元彻郎

IPC: H01C7/00 ,  H01C17/06

Abstract: 本发明提供一种能够抑制在陶瓷基板及芯片电阻的制造过程中产生不良的断裂并且能满足分割后尺寸精度的芯片电阻用陶瓷基板。使得一次分割沟的两主面的合计深度比二次分割沟的两主面的合计深度要浅,并使得电阻形成面侧一次分割沟1a比内面侧一次分割沟1b要深而使得内面侧二次分割沟2b比电阻形成面侧二次分割沟2a要深。在陶瓷基板的边缘部分分割沟2b的端部或仅在其延长上形成盲沟或盲孔。

公开(公告)号：CN1201342C

公开(公告)日：2005-05-11

申请号：CN01118979.7

申请日：2001-05-23

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 高尾克一 ,  冈本忠裕 ,  津曲兼温 ,  中元彻郎

IPC: H01C7/00 ,  H01C17/06

Abstract: 本发明提供一种能够抑制在陶瓷基板及芯片电阻的制造过程中产生不良的断裂并且能满足分割后尺寸精度的芯片电阻用陶瓷基板。使得一次分割沟的两主面的合计深度比二次分割沟的两主面的合计深度要浅，并使得电阻形成面侧一次分割沟1a比内面侧一次分割沟1b要深而使得内面侧二次分割沟2b比电阻形成面侧二次分割沟2a要深。在陶瓷基板的边缘部分分割沟2b的端部或仅在其延长上形成盲沟或盲孔。