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公开(公告)号：CN101309853B
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN200680042876.6
申请日：2006-09-15
Applicant: 普拉德研究及开发股份有限公司 , 京瓷株式会社
CPC classification number: E21B49/08 , B81B7/0077 , E21B47/01 , E21B47/06 , G01D11/245
Abstract: 本发明提供用于井下应用的MEMS器件和其他传感器的封装。MEMS器件和/或其他传感器可有助于原地特征化地层流体。该封装有助于高温高压环条件下的使用，这些条件在井下环境中经常遇到。
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公开(公告)号：CN101925998A
公开(公告)日：2010-12-22
申请号：CN201080001027.2
申请日：2010-01-22
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L23/057 , H01L23/36 , H01L23/3677 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/09701 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件，该元件搭载用基板能够轻易地将功率用半导体元件设定为适于动作的温度中，并且起到能够使功率用半导体元件良好地发挥作用的效果。元件搭载用基板具备：支承体(3)，其具有用于在一个主面(31a)上装载功率用半导体元件(4)的元件搭载部(31)，并且具有设置为在厚度方向上远离元件搭载部(31)且互相隔着间隔而配置的多个柱部(32)；和蓄热区域，其设置在柱部(32)间，且热传导率比支承体(3)低。
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公开(公告)号：CN101925998B
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201080001027.2
申请日：2010-01-22
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01L23/3675 , H01L23/057 , H01L23/36 , H01L23/3677 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/09701 , Y10T29/49121 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供一种元件搭载用基板及利用该基板的元件容纳用封装件，该元件搭载用基板能够轻易地将功率用半导体元件设定为适于动作的温度中，并且起到能够使功率用半导体元件良好地发挥作用的效果。元件搭载用基板具备：支承体(3)，其具有用于在一个主面(31a)上装载功率用半导体元件(4)的元件搭载部(31)，并且具有设置为在厚度方向上远离元件搭载部(31)且互相隔着间隔而配置的多个柱部(32)；和蓄热区域，其设置在柱部(32)间，且热传导率比支承体(3)低。
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公开(公告)号：CN101309853A
公开(公告)日：2008-11-19
申请号：CN200680042876.6
申请日：2006-09-15
Applicant: 普拉德研究及开发股份有限公司 , 京瓷株式会社
CPC classification number: E21B49/08 , B81B7/0077 , E21B47/01 , E21B47/06 , G01D11/245
Abstract: 本发明提供用于井下应用的MEMS器件和其他传感器的封装。MEMS器件和/或其他传感器可有助于原地特征化地层流体。该封装有助于高温高压环条件下的使用，这些条件在井下环境中经常遇到。
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