公开(公告)号：CN107852148B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201680045631.2

申请日：2016-08-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  奥道武宏

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

Abstract: SAW元件具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及位于压电基板的上表面上的IDT电极。包含IDT电极的谐振器(5)的谐振频率以及反谐振频率收敛于频率最低的体波杂散的频率与频率次低的体波杂散的频率之间。

公开(公告)号：CN102017406A

公开(公告)日：2011-04-13

申请号：CN200980114387.0

申请日：2009-04-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 奥道武宏 ,  田中宏行

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/0009 ,  H03H9/02763 ,  H03H9/1457 ,  H03H9/14582 ,  H03H9/6433

Abstract: 本发明提供一种声表面波装置，其构成为以如下方式配置电极指，按照排列顺序，设具有串联分割型构造的各IDT电极中的连续顺序排列的任意3个IDT电极为第1、第2、第3IDT电极时，使得所述第1IDT电极与所述第2IDT电极在第1区域分界上的第1电极指间距P1，等于所述第2IDT电极与所述第3IDT电极在第1区域分界上的第2电极指间距P2，而且，所述第1、第2电极指间距P1、P2在所述IDT电极的第1区域的电极指间距中最小，另外使大于所述第1、第2电极指间距P1、P2的第3电极指间距P3处于各IDT电极的第1区域。

公开(公告)号：CN107852148A

公开(公告)日：2018-03-27

申请号：CN201680045631.2

申请日：2016-08-26

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 山本大辅 ,  奥道武宏

IPC: H03H9/25 ,  H03H9/145

CPC classification number: H03H9/02574 ,  H03H9/02559 ,  H03H9/145 ,  H03H9/14544 ,  H03H9/205 ,  H03H9/25 ,  H03H9/6483

Abstract: SAW元件具有：压电基板；贴合于该压电基板的下表面的支承基板；以及位于压电基板的上表面上的IDT电极。包含IDT电极的谐振器(5)的谐振频率以及反谐振频率收敛于频率最低的体波杂散的频率与频率次低的体波杂散的频率之间。

公开(公告)号：CN102017406B

公开(公告)日：2014-02-26

申请号：CN200980114387.0

申请日：2009-04-24

Applicant: 京瓷株式会社

Inventor： 奥道武宏 ,  田中宏行

IPC: H03H9/145 ,  H03H9/64

CPC classification number: H03H9/0009 ,  H03H9/02763 ,  H03H9/1457 ,  H03H9/14582 ,  H03H9/6433

Abstract: 本发明提供一种声表面波装置，其构成为以如下方式配置电极指，按照排列顺序，设具有串联分割型构造的各IDT电极中的连续顺序排列的任意3个IDT电极为第1、第2、第3IDT电极时，使得所述第1IDT电极与所述第2IDT电极在第1区域分界上的第1电极指间距P1，等于所述第2IDT电极与所述第3IDT电极在第1区域分界上的第2电极指间距P2，而且，所述第1、第2电极指间距P1、P2在所述IDT电极的第1区域的电极指间距中最小，另外使大于所述第1、第2电极指间距P1、P2的第3电极指间距P3处于各IDT电极的第1区域。