GaN芯片负压控制电路及设备

    公开(公告)号:CN108964425B

    公开(公告)日:2019-12-31

    申请号:CN201810724211.8

    申请日:2018-07-04

    Abstract: 本发明涉及一种GaN芯片负压控制电路及设备。GaN芯片负压控制电路包括比较器电路,漏压关断电路,以及正极分别用于接入负压信号、连接GaN芯片的栅压管脚的二极管;比较器电路包括第一比较器和第二比较器;第一比较器的输出端连接二极管的负极,输入端连接TDD信号端;第二比较器的输入端接入负压信号;漏压关断电路的输入端连接第二比较器的输出端,输出端连接GaN芯片的漏极。基于上述结构,解决GaN芯片的供电时序控制问题,保证栅压开启到芯片工作电压后,漏压才开启,有效保证芯片的正常工作。在不关断漏压的情况下,通过比较器实现由高低电平信号控制栅压从负压到工作电压之间的切换,实现TDD模式下GaN芯片的正常工作。

    功放装置、射频信号处理系统和基站

    公开(公告)号:CN108900207B

    公开(公告)日:2020-03-13

    申请号:CN201810992359.X

    申请日:2018-08-29

    Abstract: 本申请涉及一种功放装置,包括依次连接的预失真模块、功放模块、分路处理模块和功率耦合模块,以及异频合路模块和调控模块。功率耦合模块的反馈输出端连接预失真模块的反馈输入端。功率耦合模块的信号输出端连接异频合路模块的输入端,异频合路模块的输出端用于连接信号发射模块。调控模块的检波输入端连接功率耦合模块的反馈输出端。调控模块的信号校正控制端连接预失真模块的控制端,调控模块的功放控制端连接功放模块的控制端。预失真模块用于连接信号源。调控模块用于控制功放模块的工作状态,以及根据功率耦合模块输出的反馈信号的功率和预失真模块的校正误差参数,调节预失真模块的输出信号的幅度和相位。可有效降低制造及运维成本低。

    GaN芯片负压控制电路及设备

    公开(公告)号:CN108964425A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810724211.8

    申请日:2018-07-04

    Abstract: 本发明涉及一种GaN芯片负压控制电路及设备。GaN芯片负压控制电路包括比较器电路,漏压关断电路,以及正极分别用于接入负压信号、连接GaN芯片的栅压管脚的二极管;比较器电路包括第一比较器和第二比较器;第一比较器的输出端连接二极管的负极,输入端连接TDD信号端;第二比较器的输入端接入负压信号;漏压关断电路的输入端连接第二比较器的输出端,输出端连接GaN芯片的漏极。基于上述结构,解决GaN芯片的供电时序控制问题,保证栅压开启到芯片工作电压后,漏压才开启,有效保证芯片的正常工作。在不关断漏压的情况下,通过比较器实现由高低电平信号控制栅压从负压到工作电压之间的切换,实现TDD模式下GaN芯片的正常工作。

Patent Agency Ranking