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公开(公告)号：CN111123772B
公开(公告)日：2025-04-22
申请号：CN201911289335.9
申请日：2019-12-13
Applicant: 京信网络系统股份有限公司
IPC: G05B19/042
Abstract: 本发明涉及功放模块的辅助控制电路、功放模块及通信设备。功放模块的辅助控制电路包括主控芯片、第一电流检测芯片和第二电流检测芯片。第一电流检测芯片的输出电压放大倍数大于第二电流检测芯片的输出电压放大倍数。第一电流检测芯片的检测输入端用于接入功放模块的功放管供电通路的静态电压。第一电流检测芯片的检测输出端电连接主控芯片。第一电流检测芯片用于将静态电压进行差分放大后输出到主控芯片。第二电流检测芯片的检测输入端用于接入功放管供电通路的工作电压。第二电流检测芯片的检测输出端电连接主控芯片。第二电流检测芯片用于将工作电压进行差分放大后输出到主控芯片。达到了大幅提升功放电流检测精度的效果。
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公开(公告)号：CN111030617B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN201911413677.7
申请日：2019-12-31
Applicant: 京信网络系统股份有限公司
IPC: H03F3/20
Abstract: 本发明涉及一种功率放大器，包括：包括第一PCB板、第二PCB板、功率放大管电路、环形器；所述功率放大管电路通过第一微带线与所述环形器的第一端连接，所述环形器的第二端连接有第二微带线，所述第一微带线、所述功率放大管电路设在所述第一PCB板，所述第二微带线设在所述第二PCB板，所述环形器设在所述第一PCB板或所述第二PCB板。通过设计第一PCB板和第二PCB板和在第一PCB板上设有第一微带线，第二PCB板上设有第二微带线，从而在输出端的微带线烧毁时只需对输出端的第二PCB板进行更换即可，另外可通过设计不同特征阻抗的微带线来提高微带线的功率容量。
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公开(公告)号：CN109768789B
公开(公告)日：2023-07-04
申请号：CN201811619641.X
申请日：2018-12-28
Applicant: 京信网络系统股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT漏极控制电路及设备。GaN HEMT漏极控制电路，包括：漏压开关驱动电路以及第一N型MOS管。漏压开关驱动电路的第一输入端用于连接外部电源，第二输入端用于接入漏压控制信号，第一输出端连接第一N型MOS管的栅极，第二输出端连接第一N型MOS管的漏极，第三输出端连接所述第一N型MOS管的源极；第一N型MOS管的源极用于连接GaN HEMT的漏极。基于上述结构，漏压开关驱动电路接收漏压控制信号，输出驱动信号给第一N型MOS管的栅极，控制第一N型MOS管漏源两极的通断；利用第一N型MOS管来控制GaN HEMT漏压的开与关，能够实现漏压开关的高速切换，同时，可降低漏极电源开关的损耗以及电路成本，提高电路的可靠性和效率。
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公开(公告)号：CN112867042A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN202011640128.6
申请日：2020-12-31
Applicant: 京信网络系统股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种增益控制方法、装置、基站和存储介质，基站确定下行通道的当前工作模式；然后，确定与当前工作模式匹配的目标调整阈值；进一步地，基站检测下行通道在当前工作环境下的当前工作温度，并根据当前工作温度确定下行通道在当前工作温度下的增益调整量；在增益调整量小于目标调整阈值的情况下，基于增益调整量对下行通道的增益进行调整；其中，当前工作模式由输入至下行通道的信号的功率范围确定。采用上述方法可以避免基站在大功率工作模式下采用较大的增益调整量调整下行通道增益导致功放管烧毁，以及避免基站在小功率的工作模式下由于目标调整阈值较小导致的增益调整失败而产生误告警，提升了基站的工作稳定性和可靠性。
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公开(公告)号：CN110932751B
公开(公告)日：2025-02-07
申请号：CN201911171376.8
申请日：2019-11-26
Applicant: 京信网络系统股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种大功率上下行切换装置和通信设备。大功率上下行切换装置中，基于第一射频端口，射频切换开关和同步控制模块可配合完成上下行链路的切换；环形器的第一端口连接功率放大模块的输出端，第二端口连接第二射频端口，第三端口通过第一射频开关连接低噪放模块；第三端口还通过第一微带线分别连接大功率负载电阻和第二射频开关，以分别进行接地；第一微带线的第一端到第二端的射频阻抗为高阻状态。基于上述结构，下行反射功率可通过大功率负载电阻吸收，不影响上行链路；并且，在上行链路导通时，射频开关配合微带线阻抗特性的周期变换，能够保证射频功率不泄露至负载电阻，进而实现大功率容量的TDD切换，克服器件功率容量的限制。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114024557B
公开(公告)日：2023-06-06
申请号：CN202111405030.7
申请日：2021-11-24
Applicant: 京信网络系统股份有限公司
IPC: H04B1/00
Abstract: 本发明提供信号传输方法、信号接入及覆盖单元，其中，应用于信号接入单元或信号覆盖单元的方法包括：接收高频信号，获取所述高频信号的信号带宽，从预设的若干个下变频带宽范围中确定所述信号带宽所在的一个下变频带宽范围，根据所述信号带宽所在的下变频带宽范围控制所述高频信号下变频至中频信号，将所述中频信号进行传输，该方法在下变频过程中，基于高频信号的信号带宽所在的下变频带宽范围确定下变频后的中频频率，最大程度地最小化下变频得到的中频信号的频率，最大限度地降低传输的损耗，且整体方法的运算难度低、运算效率高、运行该方法的单元的设计成本和设计难度都较低。
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公开(公告)号：CN112564806A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011506499.5
申请日：2020-12-18
Applicant: 京信网络系统股份有限公司
IPC: H04B10/40
Abstract: 本公开涉及一种多通道射频收发装置及收发方法，包括光模块、数字信号处理模块、射频收发模块、下行模块和微处理模块；光模块的接收对应于基带数据的光信号，并转换为电信号，输出至数字信号处理模块；微处理模块控制光模块、数字信号处理模块以及下行模块；数字信号处理模块基于电信号获取基带数据和通道数信息，分配处理基带数据；微处理模块基于通道数信息和基带数据，确定射频收发模块的通道数及对应的下行模块的通道数、下行输出功率并关闭下行模块中的剩余通道；射频收发模块的各通道对接收到的基带数据进行上变频，下行模块的各通道对应地将上变频后的基带数据进行处理并输出；下行模块的处于工作状态的通道数随通道数信息的不同而可调节。
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公开(公告)号：CN110300421B
公开(公告)日：2024-04-26
申请号：CN201910703655.8
申请日：2019-07-31
Applicant: 京信网络系统股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种上下行失步检测电路和通信设备。其中的电路包括信号输入单元用于获取信号源输出的TD制式信号，并对TD制式信号进行滤波与衰减输出；变频单元用于将信号输入单元输出的TD制式信号下变频至低频；抑制单元用于对变频后的TD制式信号进行干扰抑制；转换单元用于将干扰抑制后的TD制式信号转换为数字信号；信号检出单元用于从数字信号中检出TD上行开关信号和TD下行开关信号；状态检测单元用于检测TD上行开关信号和TD下行开关信号的电平并确定失步状态。基于电路硬件进行开关信号的同步判决，响应速度和精度更高，且稳定性更好，达到了有效提高上下行失步判断效率的目的。
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公开(公告)号：CN109462388B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201811230522.5
申请日：2018-10-22
Applicant: 京信网络系统股份有限公司
IPC: H03K17/687
Abstract: 本申请涉及一种GaN HEMT控制电路，包括栅压切换电路，以及连接GaN HEMT的栅极管脚的栅压端；栅压切换电路包括第一开关电路、第二开关电路以及第三开关电路；第一开关电路的第一端接入TDD切换信号，第一开关电路的第二端分别连接第二开关电路的第一端和第三开关电路的第一端；第二开关电路的第二端连接栅极电压源，第二开关电路的第三端连接栅压端；第三开关电路的第二端连接负电压电源端，第三开关电路的第三端连接栅压端。TDD切换信号可控制第一开关电路的通断，第一开关电路的通断可控制第二开关电路和第三开关电路的通断，能够切换栅压端的电压；基于上述结构，可利用TDD上下行切换信号，控制GaN HEMT的栅极电压，实现GaN HEMT的快速关断与开启。
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公开(公告)号：CN113993249A
公开(公告)日：2022-01-28
申请号：CN202111395107.7
申请日：2021-11-23
Applicant: 京信网络系统股份有限公司
Abstract: 本申请涉及一种等离子灯控制方法、装置、控制器、控制系统和照明系统。所述方法包括：在当前轮次中，若等离子灯处于点亮状态，则基于上一轮次的反射功率变化方向和上一轮次的跳频方向，确定所述当前轮次的跳频方向，并根据所述当前轮次的跳频方向调整目标驱动信号的频率；其中，所述目标驱动信号为向所述等离子灯输出的驱动信号；根据所述当前轮次进行的频率调整所对应的第一反射功率和第二反射功率，确定所述当前轮次的反射功率变化方向，并进入下一轮次；所述第一反射功率为频率调整前目标驱动信号的反射功率，所述第二反射功率为频率调整后目标驱动信号的反射功率。采用本方法能够提高等离子灯的光照稳定性和工作稳定性。
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