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公开(公告)号:CN112071868B
公开(公告)日:2024-09-13
申请号:CN202010990335.8
申请日:2020-09-18
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: H01L27/12 , H10K59/12 , G02F1/1333
摘要: 本发明实施例提供一种LTPS TFT阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,可以解决薄膜晶体管的漏电流较高的问题,该LTPS TFT阵列基板包括:衬底、金属块以及至少一个薄膜晶体管;所述金属块设置于所述衬底上,所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面;所述至少一个薄膜晶体管包括多晶硅层;所述多晶硅层包括源极区、漏极区,以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区;所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度,其余部分具有第二晶粒度;所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个;其中,所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度。
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公开(公告)号:CN107390444B
公开(公告)日:2024-03-29
申请号:CN201710795480.9
申请日:2017-09-06
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: G02F1/1362 , G03F7/00
摘要: 本发明提供一种阵列基板及其制作方法和显示装置。该阵列基板包括:包括衬底基板,以及设置于所述衬底基板上的栅线和数据线,所述栅线和数据线限定出多个像素区域,所述像素区域中设置有漫反射层,所述漫反射层的朝向所述阵列基板的出光侧的表面凹凸不平。本发明中,设置在阵列基板的像素区域中的漫反射层能够对外界光进行漫反射,从而能够提高具有该阵列基板的显示装置在户外环境下的亮度,改善在户外环境下的显示效果。此外,由于借助外界光提高显示装置的亮度,因而不会增加显示装置的能耗。
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公开(公告)号:CN116648659A
公开(公告)日:2023-08-25
申请号:CN202180004187.0
申请日:2021-12-24
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: G02F1/1335
摘要: 本公开提供了显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置。本公开实施例提供的显示基板包括:第一衬底基板;多条扫描线,位于第一衬底基板的一侧,沿第一方向延伸,沿第二方向排列;第一方向和第二方向交叉;多条数据线,与扫描线位于第一衬底基板的同一侧,且与扫描线位于不同层,沿第二方向延伸,沿第一方向排列;多条扫描线和多条数据线划分多个子像素;公共电极层,位于扫描线和数据线背离第一衬底基板的一侧;第一遮光层,与公共电极层接触,包括沿第二方向延伸的多个第一遮光部;第一遮光部位于在第一方向上相邻的子像素之间的区域。
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公开(公告)号:CN116466509A
公开(公告)日:2023-07-21
申请号:CN202310476192.2
申请日:2023-04-27
申请人: 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司 , 京东方科技集团股份有限公司
IPC分类号: G02F1/1333 , G03F7/00
摘要: 本公开提供了一种液晶显示面板的制备方法、液晶显示面板以及电子设备,该方法包括:在基板一侧表面制备金属层;在金属层远离基板一侧表面制备光刻胶层;在光刻胶层远离金属层的一侧设置掩膜板;利用预设光线从掩膜板远离光刻胶层的一侧照射掩膜板;去掉掩膜板,并对光刻胶层进行显影处理;利用预设刻蚀方式对第一显示面板远离基板一侧的表面进行刻蚀。本公开利用具有不同光透过率的掩膜板,在布线区和显示区分别制备具有不同厚度的光刻胶层级,实现在后续刻蚀过程中将位于显示区内厚度较薄的第一胶层刻蚀掉进而达到对第一胶层所覆盖的第一金属层厚度的部分刻蚀,使金属层在显示区内具的金属层厚度更薄,使后续半导体层的搭接效果更好,避免断裂。
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公开(公告)号:CN113871483A
公开(公告)日:2021-12-31
申请号:CN202010614083.9
申请日:2020-06-30
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: H01L29/786 , H01L29/423 , G09F9/30 , G02B27/01
摘要: 本公开提供一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置,属于显示技术领域。本公开的薄膜晶体管,其包括:基底,位于所述基底上的栅极、有源层、源极和漏极;其中,所述栅极包括依次设置所述基底上、且电连接的第一栅极和第二栅极;所述有源层位于所述第一栅极和所述第二栅极之间;且所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影均与所述有源层在所述基底上正投影部分重叠;所述第一栅极和所述第二栅极在所述基底上的正投影部分重叠。
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公开(公告)号:CN108803170B
公开(公告)日:2021-10-08
申请号:CN201810652245.0
申请日:2018-06-22
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: G02F1/1362 , H01L27/12
摘要: 本发明实施例公开一种阵列基板及其制作方法、显示装置,涉及显示技术领域,用于减小阵列基板的寄生电容,以提高显示装置的显示品质。所述阵列基板包括衬底基板以及设在所述衬底基板一侧的多条栅线,所述栅线背向所述衬底基板的一侧设有多条数据线;每条所述栅线包括多个由各所述数据线分隔形成的栅线子段;每条所述栅线与所述衬底基板之间均设有多个遮光金属部;其中,每相邻的两个所述栅线子段与一个所述遮光金属部对应,且每相邻的两个所述栅线子段通过对应的所述遮光金属部串联。本发明实施例提供的阵列基板及其制作方法、显示装置用于TFT驱动的显示装置。
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公开(公告)号:CN112071868A
公开(公告)日:2020-12-11
申请号:CN202010990335.8
申请日:2020-09-18
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: H01L27/12 , H01L27/32 , G02F1/1333
摘要: 本发明实施例提供一种LTPS TFT阵列基板及显示装置,涉及显示技术领域,可以解决薄膜晶体管的漏电流较高的问题,该LTPS TFT阵列基板包括:衬底、金属块以及至少一个薄膜晶体管;所述金属块设置于所述衬底上,所述金属块具有远离所述衬底一侧的第一表面;所述至少一个薄膜晶体管包括多晶硅层;所述多晶硅层包括源极区、漏极区,以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区;所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分具有第一晶粒度,其余部分具有第二晶粒度;所述多晶硅层中与所述第一表面相接触的部分位于所述源极区、所述漏极区中的至少一个;其中,所述第一晶粒度小于所述第二晶粒度。
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公开(公告)号:CN106201114B
公开(公告)日:2019-03-12
申请号:CN201610740336.0
申请日:2016-08-26
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: G06F3/041 , G02F1/1333
摘要: 一种触控结构、阵列基板和显示装置,该触控结构包括分别位于绝缘层两侧的多个触控电极以及多个触控电极线,所述多个触控电极线包括连接不同触控电极的第一触控电极线和第二触控电极线。所述第一触控电极线包括相互连接的第一导线和第二导线,所述第一导线通过贯穿所述绝缘层的第一过孔连接与所述第一触控电极线连接的触控电极,所述第二导线通过贯穿所述绝缘层的第二过孔连接与所述第一触控电极线连接的触控电极,所述第二过孔和所述第一过孔之间在所述触控电极线的排列方向上设置有所述第二触控电极线的至少部分。本发明实施例可以提高触控性能。
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公开(公告)号:CN106293223B
公开(公告)日:2019-02-05
申请号:CN201610643478.5
申请日:2016-08-08
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: G06F3/041
摘要: 本发明提供的阵列基板及其制作方法、触摸屏,包括由上而下依次设置的触摸电极层、第一保护层和填充层,所述触摸电极层、第一保护层和填充层,其中,在触摸电极层上设置有挖空部,该挖空部的位置与亚像素单元的位置相对应;并且,其中一部分挖空部与间隙构成异形挖空部。填充层的位置与异形挖空部的位置相对应,且填充层与异形挖空部部分重叠,以使异显挖空部未与填充层重叠的非重叠部分的形状与挖空部的形状一致。在第一保护层上设置有第一开孔,且在第一开孔内设置有第一连接部,用以连接触摸电极层与填充层。本发明提供的阵列基板,其可以避免在模组显示灰阶画面下,显示面板上出现黑色条纹等不良。
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公开(公告)号:CN108333844A
公开(公告)日:2018-07-27
申请号:CN201810115232.X
申请日:2018-02-06
申请人: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
IPC分类号: G02F1/1362 , H01L27/12 , H01L21/77
摘要: 本发明涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板及其制造方法。阵列基板:包括:衬底;在所述衬底上的有源层;在所述有源层上的第一绝缘层;在所述第一绝缘层上的栅极电极和第一电极,其中,所述第一电极在所述衬底上的投影与所述有源层在所述衬底上的投影不重叠;在所述第一电极上的第三绝缘层,所述第三绝缘层在所述衬底上的投影与所述有源层在所述衬底上的投影不重叠;在所述第三绝缘层上的第二电极;以及在所述栅极电极和所述第二电极上的第二绝缘层。
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