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公开(公告)号:CN115119521A
公开(公告)日:2022-09-27
申请号:CN202180000026.4
申请日:2021-01-08
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
Abstract: 一种阵列基板及其驱动方法和显示装置,该阵列基板包括:衬底基板(10);个像素(11),位于衬底基板(10)之上;多个像素(11)在第一方向(F1)和第二方向(F2)呈阵列排布,第一方向(F1)与第二方向(F2)相互交叉;多个像素(11)中的至少一个像素(11)包括:子像素(111),以及用于驱动该像素(11)内各子像素(111)的像素驱动芯片(112);子像素(111)包括至少一个发光二极管;像素驱动芯片(112)包括:数据信号端(Da)和寻址信号端(Uc);多条选址信号线(S),位于衬底基板(10)之上;选址信号线(S)与在第一方向(F1)上排列的一排像素(11)的各像素驱动芯片(112)的寻址信号端(Uc)耦接;多条数据线(D),位于衬底基板(10)之上;数据线(D)与在第二方向(F2)上排列的一排像素(11)的各像素驱动芯片(112)的数据信号端(Da)耦接。阵列基板可实现有源寻址的驱动方式。
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公开(公告)号:CN112669765B
公开(公告)日:2023-03-07
申请号:CN202011565709.8
申请日:2020-12-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 京东方晶芯科技有限公司
IPC: G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本文公开一种断点自修复像素驱动电路、驱动方法及显示装置。断点自修复像素驱动电路包括:依次串联在第一电源信号端和第二电源信号端之间的电流驱动模块、发光总控模块和断点自修复发光装置;所述断点自修复发光装置包括:第一发光模块、第二发光模块和发光切换控制模块;发光切换控制模块配置为在第一状态的发光阶段向第二发光模块提供电流信号以控制第二发光模块发光,在第二状态的发光阶段向第一发光模块提供电流信号以控制第一发光模块发光;第一状态为第二发光模块连接正常时的状态,第二状态为第二发光模块出现断点故障时的状态。本文提供的断点自修复像素驱动电路能够避免像素单元因为发光器件出现断点故障而报废或返修。
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公开(公告)号:CN112669765A
公开(公告)日:2021-04-16
申请号:CN202011565709.8
申请日:2020-12-25
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方光电科技有限公司
IPC: G09G3/32 , G09G3/3208
Abstract: 本文公开一种断点自修复像素驱动电路、驱动方法及显示装置。断点自修复像素驱动电路包括:依次串联在第一电源信号端和第二电源信号端之间的电流驱动模块、发光总控模块和断点自修复发光装置;所述断点自修复发光装置包括:第一发光模块、第二发光模块和发光切换控制模块;发光切换控制模块配置为在第一状态的发光阶段向第二发光模块提供电流信号以控制第二发光模块发光,在第二状态的发光阶段向第一发光模块提供电流信号以控制第一发光模块发光;第一状态为第二发光模块连接正常时的状态,第二状态为第二发光模块出现断点故障时的状态。本文提供的断点自修复像素驱动电路能够避免像素单元因为发光器件出现断点故障而报废或返修。
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公开(公告)号:CN106935546B
公开(公告)日:2019-09-06
申请号:CN201710236527.8
申请日:2017-04-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置,用以减少显示装置多个亮点和暗点的发生。制备方法包括提供一衬底基板,在衬底基板上形成有源层,在有源层朝向衬底基板或背离衬底基板的一侧形成栅极层,在有源层背离衬底基板的一侧形成层间介质层,沿远离衬底基板方向形成的层间介质层包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层,第一膜层和第三膜层包括氧化硅层,第二膜层和第四膜层包括氮化硅层;形成位于层间介质层上的光刻胶层;形成从层间介质层延伸至有源层的过孔;形成位于层间介质层背离衬底基板一侧的源、漏极层,在形成源、漏极层的同时去除层间介质层中未被源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。
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公开(公告)号:CN106935546A
公开(公告)日:2017-07-07
申请号:CN201710236527.8
申请日:2017-04-12
Applicant: 京东方科技集团股份有限公司 , 鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司
Abstract: 本发明公开了一种阵列基板的制备方法、阵列基板、显示面板和显示装置,用以减少显示装置多个亮点和暗点的发生。制备方法包括提供一衬底基板,在衬底基板上形成有源层,在有源层朝向衬底基板或背离衬底基板的一侧形成栅极层,在有源层背离衬底基板的一侧形成层间介质层,沿远离衬底基板方向形成的层间介质层包括第一膜层、第二膜层、第三膜层、第四膜层,第一膜层和第三膜层包括氧化硅层,第二膜层和第四膜层包括氮化硅层;形成位于层间介质层上的光刻胶层;形成从层间介质层延伸至有源层的过孔;形成位于层间介质层背离衬底基板一侧的源、漏极层,在形成源、漏极层的同时去除层间介质层中未被源、漏极层覆盖的部分内的第四膜层。
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