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公开(公告)号：CN114411232B
公开(公告)日：2023-07-07
申请号：CN202210086922.3
申请日：2022-01-25
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种软态低压腐蚀箔的制备方法。本发明的软态低压腐蚀箔的制备方法的深度腐蚀为交流电腐蚀，所述交流电波形包括镜像分布的正半周期与负半周期，所述正半周期和负半周期由两个或两个以上具有相同波形、振幅和施加时间的第一半波(1)构成，且两个第一半波(1)之间存在间隔时间，所述正半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第二半波(2)构成，所述负半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第三半波(3)构成。本发明所制备的软态低压腐蚀箔具备高容量、腐蚀孔层均匀、夹心层平整和优异的折弯性能。
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公开(公告)号：CN115323474A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210927903.9
申请日：2022-08-03
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司
IPC分类号： C25F3/04
摘要： 本发明提供了一种制备腐蚀箔的发孔腐蚀的处理方法及其应用。所述发孔腐蚀的方法包括以下步骤：S1.将前处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第一级发孔，并施加第一衰减式电流；S2.当电流密度衰减至i0的10～20％时，断开电流，将铝箔放入中处理液中进行中处理；S3.将中处理后的铝箔放入发孔溶液中进行第二级发孔，并施加第二衰减式电流，初始电流的电流密度为i0的10～20％；S4.将处理后的铝箔依次重复S1.～S3.，重复次数至少为3次；其中，所述中处理液为含有1wt～5wt％的磷酸和0.005wt～0.06wt％的添加剂的溶液。所述处理方法可以改善后续腐蚀工艺中无效孔洞堵塞，并减少短孔数量，制备得到的腐蚀箔具有较高比容、拉力和折弯性能，同时腐蚀箔孔洞均匀性提高。
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公开(公告)号：CN114686960B
公开(公告)日：2023-08-22
申请号：CN202210199944.0
申请日：2022-03-01
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明提供了一种制备中高压腐蚀箔的预处理方法及其应用。所述预处理方法通过以磷酸、硝酸和酒石酸混合作为前处理液并结合预布孔工艺处理；所述前处理液包含以下浓度的组分：磷酸质量分数40％～60％、硝酸质量分数20％～35％、酒石酸质量分数5％～20％。所述预处理方法在铝箔表面形成分布均匀的起始发孔缺陷位点，解决了后续电腐蚀表面蚀孔分部不均匀及并孔、出现色差以及隧道孔长度不一致的问题。采用该工艺后制得的腐蚀箔表面发孔均匀，并孔较少且不出现色差，隧道孔长度一致，同时腐蚀箔的比容较高，折弯性能较好。
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公开(公告)号：CN114411232A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210086922.3
申请日：2022-01-25
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种软态低压腐蚀箔的制备方法。本发明的软态低压腐蚀箔的制备方法的深度腐蚀为交流电腐蚀，所述交流电波形包括镜像分布的正半周期与负半周期，所述正半周期和负半周期由两个或两个以上具有相同波形、振幅和施加时间的第一半波(1)构成，且两个第一半波(1)之间存在间隔时间，所述正半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第二半波(2)构成，所述负半周期的间隔时间段由振幅小于半波且施加时间小于半波，穿过横坐标，位于正半周的对应半周的第三半波(3)构成。本发明所制备的软态低压腐蚀箔具备高容量、腐蚀孔层均匀、夹心层平整和优异的折弯性能。
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公开(公告)号：CN114686960A
公开(公告)日：2022-07-01
申请号：CN202210199944.0
申请日：2022-03-01
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司 , 韶关东阳光科技研发有限公司
摘要： 本发明提供了一种制备中高压腐蚀箔的预处理方法及其应用。所述预处理方法通过以磷酸、硝酸和酒石酸混合作为前处理液并结合预布孔工艺处理；所述前处理液包含以下浓度的组分：磷酸质量分数40％～60％、硝酸质量分数20％～35％、酒石酸质量分数5％～20％。所述预处理方法在铝箔表面形成分布均匀的起始发孔缺陷位点，解决了后续电腐蚀表面蚀孔分部不均匀及并孔、出现色差以及隧道孔长度不一致的问题。采用该工艺后制得的腐蚀箔表面发孔均匀，并孔较少且不出现色差，隧道孔长度一致，同时腐蚀箔的比容较高，折弯性能较好。
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公开(公告)号：CN117210926A
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202311080710.5
申请日：2023-08-25
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种阳极腐蚀箔及其制备方法和应用，涉及铝电解电容器技术领域。本发明的阳极腐蚀箔的制备方法包括前处理‑发孔腐蚀‑扩孔腐蚀‑后处理，在发孔腐蚀和扩孔腐蚀间增加了中处理，所述中处理具体操作如下：在发孔腐蚀和扩孔腐蚀之间施加加压电位保护，恒压电压3～10V，处理时间1～10s，水洗后进行发孔腐蚀，所述发孔腐蚀处理液中添加有聚乙烯醇，聚乙烯醇的质量含量为1ppm/L～100ppm/L。本发明的阳极腐蚀箔制备方法提高了表面发孔的均匀性，对经过中处理后的铝箔可以更好的保护箔表面，为后期发孔处理的孔深入生长提供有效帮助，长孔保持率最高可达20％。
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公开(公告)号：CN116926546A
公开(公告)日：2023-10-24
申请号：CN202310865008.3
申请日：2023-07-13
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种超高压腐蚀箔的扩孔腐蚀方法。所述方法包括以下步骤：前处理，一级发孔腐蚀处理，二级扩孔腐蚀处理和后处理；所述二级扩孔腐蚀处理中采用扩孔腐蚀添加剂对经一级发孔腐蚀处理后的铝箔进行二级扩孔腐蚀处理；所述扩孔腐蚀添加剂选自硝酸铜溶液或硝酸银溶液中的一种或两种，所述扩孔腐蚀添加剂的添加量为0.1～500mg/L。所述扩孔腐蚀方法能够较好地提高腐蚀箔的孔径大小以及孔径的均匀程度，解决超高压腐蚀箔孔洞小及不均匀及化成后容易堵塞而造成比容低的问题。
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公开(公告)号：CN117702220A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311729628.0
申请日：2023-12-14
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司
摘要： 本发明公开了一种铝箔前处理方法、中高压阳极箔及其应用，涉及电解电容器技术领域。铝箔前处理方法具体为：在铝箔上放置具有凸起的基板，纳米压印形成规则排列的凹陷点，凹陷点的直径为0.5～1.5μm，凹陷点的间距为0.2～1.0μm。本发明的铝箔前处理方法使用磷酸前处理和纳米干法压印在平整抛光的铝箔表面提前进行了均一的预布孔，降低孔洞生长能量差异，在加电腐蚀时孔就能在预布孔点上同时生长，生长成均匀的隧道孔，精确地控制了蚀孔萌生位置，进而大幅改善后续工艺所得腐蚀箔的隧道孔孔长和孔径的均一性，提高了铝电解电容器电极箔容量和折弯性能。
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公开(公告)号：CN117727563A
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202311643149.7
申请日：2023-12-01
申请人： 乳源瑶族自治县东阳光化成箔有限公司 , 东莞东阳光科研发有限公司
IPC分类号： H01G9/055
摘要： 本发明公开了一种中高压腐蚀箔及其制备方法和应用，属于电容器技术领域。本发明的中高压腐蚀箔的制备方法包括如下步骤：S1.在铝箔表面固定覆盖一层碳纳米管薄膜形成规则排列的裸露点，碳纳米管纵向排列间隔0.8～1.5μm，横向排列间隔为0.1～1.5μm；S2.进行一级发孔腐蚀‑二级扩孔腐蚀‑后处理‑化成处理，得到中高压腐蚀箔。本发明在铝箔表面固定覆盖一层碳纳米管薄膜规则排列的裸露点，改善了孔洞在铝箔表面随机生长情况，阻碍了铝箔与槽液的接触，使得孔壁结构完整，在进行扩孔处理时可大幅减少并孔情况的发生，进而大幅改善后续工艺所得腐蚀箔的隧道孔孔长和孔径的均一性。
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