有机电致发光装置及其制造方法

    公开(公告)号:CN100544063C

    公开(公告)日:2009-09-23

    申请号:CN03105402.1

    申请日:2003-02-20

    Inventor: 朴宰用 李南良

    Abstract: 一种有机电致发光装置包括:第一衬底;第二衬底,它面对第一衬底且与其分开,第一衬底和第二衬底每一个都有一象素区,该象素区包括多个子象素区;多个阵列元件,它们在第一衬底的内表面上,在这些多个阵列元件包括在多个子象素区中的每一个内的开关元件;透明导电材料构成的第一电极,它在第二衬底的内表面上;有机电致发光层,它在第一电极上;第二电极,它在多个子象素区中的每一个内的有机电致发光层上;密封图形,它在第一衬底与第二衬底之间的外围部分上;和连接图形,它与多个子象素区中的每一个内的开关元件和第二电极相互电连接。

    有机发光显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN101320748B

    公开(公告)日:2013-05-01

    申请号:CN200810111028.7

    申请日:2008-05-29

    CPC classification number: H01L51/5246 H01L51/5203

    Abstract: 本发明公开了通过改变密封结构能够防止湿气浸入,从而防止像素劣化并由此提高观感特征的有机发光显示器件及其制造方法。所述有机发光显示器件包括彼此相对的第一基板和第二基板,所述第一和第二基板分别具有限定在其中央的显示区和限定在其边缘的非显示区;在所述第一基板上的显示区形成的多个栅线和数据线,所述栅线和数据线彼此交叉以限定像素区;在所述栅线和数据线之间的每一个交叉点形成的薄膜晶体管;在所述第二基板上形成与像素区对应的有机发光层,以及位于所述有机发光层上方和下方的第一电极和第二电极;以及连接在第一基板和第二基板之间的密封结构,从而第一基板和第二基板通过所述密封结构彼此粘接,用于防止湿气和气体的浸入。

    平板显示器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100576559C

    公开(公告)日:2009-12-30

    申请号:CN200610160663.5

    申请日:2006-11-29

    CPC classification number: H01L51/524 H01L27/1214 H01L27/3244

    Abstract: 本发明提供一种平板显示器件及其制造方法。平板显示器件包括第一基板,发光单元,第二基板和绝缘膜。发光单元包括设置在第一基板上的薄膜晶体管,与薄膜晶体管电连接的第一电极,与第一电极相对的第二电极,以及夹在第一和第二电极之间的有机发射层或液晶层。第二基板通过紫外线固化密封剂与第一基板密封,并具有比第一基板更大的热膨胀系数。绝缘膜设置在第一和/或第二基板的任意一个或多个表面上。

    有机电致发光器件及其制造方法

    公开(公告)号:CN100485952C

    公开(公告)日:2009-05-06

    申请号:CN200410062535.8

    申请日:2004-06-30

    CPC classification number: H01L27/3251 H01L27/3246 H01L51/56

    Abstract: 一种有机电致发光器件,包括相互面对并间隔开的第一和第二基板,所述第一和第二基板包含像素区域;所述第一基板的内表面上的选通线;与所述选通线交叉的数据线;与所述选通线和数据线连接的开关薄膜晶体管;与所述开关薄膜晶体管连接的驱动薄膜晶体管;与所述驱动薄膜晶体管连接的电源线;所述第二基板的内表面上的第一电极;在所述第一电极上位于所述像素区域的边界处的第一侧壁和第二侧壁,所述第一侧壁和第二侧壁相互间隔开;在所述第一电极上位于所述像素区域中的电致发光层;在所述电致发光层上位于所述像素区域中的第二电极;以及与所述第一和第二基板电连接的连接电极。

    有机电致发光器件
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100479177C

    公开(公告)日:2009-04-15

    申请号:CN200410090890.6

    申请日:2004-11-16

    Inventor: 朴宰用

    CPC classification number: H01L27/3251 H01L27/3262 H05B33/0896

    Abstract: 一种有机电致发光器件,包括栅极线、与栅极线交叉并限定像素区的数据线、与数据线平行的电源线和位于像素区且与有机电致发光二极管相对应的阵列元件。该阵列元件包括开关TFT、驱动TFT和存储电容。驱动TFT包括栅极、源极和漏极,其中,源极和漏极中的一个具有至少一个垂直突起,源极和漏极中的另一个具有至少两个垂直突起,并且所述栅极具有多个垂直突起的梳形。

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