一种硅基工艺的高增益高效率片上天线

    公开(公告)号:CN114243257A

    公开(公告)日:2022-03-25

    申请号:CN202210183297.4

    申请日:2022-02-28

    Abstract: 本发明公开了一种硅基工艺的高增益高效率片上天线,包括硅衬底,所述硅衬底上依次设有九层金属层,所述第九层金属层上设有二行二列的阵列天线,所述阵列天线包括四个环形天线单元、T型功分器和共面波导馈电端,四个所述环形天线单元和所述共面波导馈电端通过所述T型功分器连接,所述环形天线单元包括同轴设置的外开口谐振环和内开口谐振环,所述阵列天线下方的第一层金属层上设有人工磁导体层,本发明提供一种硅基工艺的高增益高效率片上天线,包括一个位于M9层的二行二列的阵列天线和M1层的人工磁导体层;所述人工磁导体层具有同向反射特性,在60GHz处的反射相位为0°,同相反射相位带隙为53.1GHz~67.7GHz,完全覆盖了60GHz附近的免许可带宽范围。

    支撑组件及支撑装置
    2.
    发明公开

    公开(公告)号:CN119381759A

    公开(公告)日:2025-01-28

    申请号:CN202411647691.4

    申请日:2024-11-18

    Abstract: 本申请提供了一种支撑组件及支撑装置。所述支撑组件包括支撑座、第一调节件和第二调节件。第一调节件的一端与所述支撑座转动连接,所述第一调节件设有用于固定金属网布的固定件,所述固定件可沿所述第一调节件的长度方向移动。第二调节件的一端与所述支撑座转动连接,另一端与所述第一调节件转动连接;所述第二调节件可相对所述支撑座转动并带动所述第一调节件相对所述支撑座转动。

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