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公开(公告)号：CN117126429B
公开(公告)日：2024-01-16
申请号：CN202311388072.3
申请日：2023-10-25
Applicant: 之江实验室
IPC: C08J3/075 , A61B5/268 , A61B5/266 , A61B5/259 , C08L33/26 , C08L33/12 , C08L33/08 , C08L65/00 , C08L25/18 , C08K7/00 , C08K3/08 , C08K3/14 , C08K3/04 , C08F220/14 , C08F220/56 , C08F220/06 , C08F222/38 , C08F220/18
Abstract: 以及填充于所述亲水性水凝胶网络中的电解质本发明涉及一种凝胶半干电极及其制备方 和水。本发明的凝胶半干电极具有优异的柔性、法和应用。所述凝胶半干电极包括憎水性电子导 可长时间缓释电解液以及高电子电导率，用于检电凝胶骨架以及填充于所述憎水性电子导电凝 测生理电信号时，可以显著降低生理电信号传输胶骨架中的亲水性离子导电水凝胶，所述憎水性 过程中的阻抗，提升生理电信号的检测质量。电子导电凝胶骨架和亲水性离子导电水凝胶由于相分离作用形成拓扑结构；其中，所述憎水性电子导电凝胶骨架包括憎水性凝胶骨架和填充
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公开(公告)号：CN116942155A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202311223547.3
申请日：2023-09-21
Applicant: 之江实验室
IPC: A61B5/1459 , A61B5/145 , A61N1/36
Abstract: 本申请提供一种柔性植入式光电器件及其制备方法、控制方法。该柔性植入式光电器件用于多巴胺传感与调控，其包括柔性植入式探针及柔性电路。柔性植入式探针用于植入于脑组织中，以检测或调节脑组织的多巴胺浓度，柔性植入式探针包括荧光光度计、荧光薄膜和电刺激电极，荧光光度计用于激发荧光薄膜产生荧光，并测量荧光薄膜产生的荧光强度。柔性电路与柔性植入式探针通信连接。柔性电路用于驱动荧光光度计工作以激发荧光薄膜产生荧光并采集来自荧光光度计测量到的荧光强度的信号以获得脑组织的多巴胺浓度；柔性电路还用于在检测到的多巴胺浓度异常时，驱动电刺激电极工作来激活脑组织附近的神经元活动以对脑组织的多巴胺浓度进行调控。
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公开(公告)号：CN118171045A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410364271.9
申请日：2024-03-28
Applicant: 之江实验室 , 上海人工智能创新中心
Abstract: 本发明涉及一种基于同步采样的斩波噪声消除方法及系统，该方法包括：基于系统时钟信号，通过分频处理，得到同步的第一时钟信号和第二时钟信号；根据第一时钟信号，针对脑电采集设备采集的信号进行斩波调制，输出得到脑电信号；根据第一时钟信号，对脑电信号进行放大处理后再进行斩波解调制，并返回至原始的脑电信号频段，得到放大脑电信号；根据第二时钟信号，通过模数转换对放大脑电信号进行采样，并转换为离散数字信号输出，得到清晰且没有噪声点的脑电信号。与现有技术相比，本发明能够有效消除脑电信号通过斩波放大器带来的斩波噪声的影响，提高信号的实时性和精度，节省硬件使用面积、功耗和硬件冗余，同时减少对计算能力和存储资源的需求。
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公开(公告)号：CN117224129B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311522719.7
申请日：2023-11-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种电极及其制备方法和应用。电极包括第一水凝胶层、第二水凝胶层和电子导电层，所述第二水凝胶层与电子导电层层叠设置形成复合层，所述第一水凝胶层包裹所述复合层；其中，所述第一水凝胶层包括第一水凝胶基体以及填充于所述第一水凝胶基体中的第一电解液，所述第一水凝胶基体由高分子共聚物、海藻酸钠、明胶和壳寡糖通过分子链交织形成，所述高分子共聚物选自丙烯酸‑异丙基丙烯酰胺共聚物和/或丙烯酰胺‑异丙基丙烯酰胺共聚物。本发明的电极不但具有优异的柔性，可长时间缓释电解液和高电子导电率，同时还有优异的粘弹性和粘性可调性，进而在用于检测运动状态下的脑电信号时，可显著降低运动伪影，提高脑电信号的质量。
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公开(公告)号：CN116942169B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202311223540.1
申请日：2023-09-21
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请提供一种微型化脑电信号放大器及脑机接口芯片系统。该放大器包括斩波调制单元、固定增益放大单元及斩波解调制单元。斩波调制单元通过输入电容连接至固定增益放大单元的输入端。斩波调制单元用于将脑电信号进行斩波调制；固定增益放大单元用于将斩波调制后的脑电信号进行放大处理，包括两个晶体管对，其中一个的栅漏极分别连接放大单元的正向输入端和负向输出端，另一个的栅漏极分别连接放大单元的负向输入端和正向输出端。两个晶体管对的栅极和漏极之间的寄生电容分别形成第一和第二反馈电容。斩波解调制单元连接至放大单(56)对比文件赵浩;王宁章.E类射频功率放大器设计.微计算机信息.2009,(第14期),全文.谭晓昀;黄刚;刘晓为.一种用于微加速度计的低输入电容运算放大器.传感器与微系统.2008,(第12期),全文.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117017308B
公开(公告)日：2024-01-23
申请号：CN202311299004.X
申请日：2023-10-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种慢波神经信号放大电路，其中，该慢波神经信号放大电路包括：滤波单元和放大单元，滤波单元包括电容和伪电阻；电容的一端作为信号输入端，电容的另一端与伪电阻的第一端以及放大单元的输入端连接，电容将输入信号耦合至放大单元；伪电阻的第二端连接共模电压，伪电阻的第一端与放大单元的输入端连接，为放大单元提供偏置电压；通过设置伪电阻的阻抗值，使得滤波单元的滤波截止频率达到目标值，得到滤波信号，并对滤波信号进行放大。通过本申请，解决了在传统的脑机接口信号采集电路中使用跨接在输入端和输出端的伪电阻的阻抗不稳定的问题，通过采用输入偏置的方法，大幅降低了高通截止频率，有利于慢波神经信号的采集。
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公开(公告)号：CN117224129A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311522719.7
申请日：2023-11-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及一种电极及其制备方法和应用。电极包括第一水凝胶层、第二水凝胶层和电子导电层，所述第二水凝胶层与电子导电层层叠设置形成复合层，所述第一水凝胶层包裹所述复合层；其中，所述第一水凝胶层包括第一水凝胶基体以及填充于所述第一水凝胶基体中的第一电解液，所述第一水凝胶基体由高分子共聚物、海藻酸钠、明胶和壳寡糖通过分子链交织形成，所述高分子共聚物选自丙烯酸‑异丙基丙烯酰胺共聚物和/或丙烯酰胺‑异丙基丙烯酰胺共聚物。本发明的电极不但具有优异的柔性，可长时间缓释电解液和高电子导电率，同时还有优异的粘弹性和粘性可调性，进而在用于检测运动状态下的脑电信号时，可显著降低运动伪影，提高脑电信号的质量。
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公开(公告)号：CN118352448B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410764712.4
申请日：2024-06-14
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明涉及光遗传学神经探针及其制备方法和应用。其中，光遗传学神经探针包括柔性衬底；第一绝缘层；多个电连接组件；InGaN基纳米柱LED，InGaN基纳米柱LED包括InGaN基LED外延层以及设于InGaN基LED外延层上的N型电极和多个P型电极，N型电极和P型电极分别与对应的电连接组件中的键合金属电性连接；InGaN基LED外延层具有多个由纳米柱阵列组成的发光区域，每个发光区域中的纳米柱阵列的直径相同，不同发光区域的纳米柱阵列的直径相同或者不同。该光遗传学神经探针具有体积小、厚度薄、调控精度高的特点，能够实现多光谱出光的同时，有效减少光遗传学神经探针植入时的创口面积和减小组织免疫反应，提高生物安全性。
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公开(公告)号：CN117017308A
公开(公告)日：2023-11-10
申请号：CN202311299004.X
申请日：2023-10-09
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本申请涉及一种慢波神经信号放大电路，其中，该慢波神经信号放大电路包括：滤波单元和放大单元，滤波单元包括电容和伪电阻；电容的一端作为信号输入端，电容的另一端与伪电阻的第一端以及放大单元的输入端连接，电容将输入信号耦合至放大单元；伪电阻的第二端连接共模电压，伪电阻的第一端与放大单元的输入端连接，为放大单元提供偏置电压；通过设置伪电阻的阻抗值，使得滤波单元的滤波截止频率达到目标值，得到滤波信号，并对滤波信号进行放大。通过本申请，解决了在传统的脑机接口信号采集电路中使用跨接在输入端和输出端的伪电阻的阻抗不稳定的问题，通过采用输入偏置的方法，大幅降低了高通截止频率，有利于慢波神经信号的采集。
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公开(公告)号：CN119470599A
公开(公告)日：2025-02-18
申请号：CN202510059074.0
申请日：2025-01-15
Applicant: 之江实验室
IPC: G01N27/414
Abstract: 本申请涉及HEMT生物传感器制备方法和HEMT生物传感器，其中，该方法包括：在HEMT外延层上制备多个单颗HEMT器件，形成HEMT阵列；HEMT外延层包括硅衬底；对HEMT阵列中的硅衬底进行刻蚀处理，得到阵列薄膜；将阵列薄膜转移至带有第一绝缘层的柔性衬底表面，得到柔性HEMT阵列薄膜；在柔性HEMT阵列薄膜上部署多个电连接组件，电连接组件分别与柔性HEMT阵列薄膜上的多个单颗HEMT对应连接；在柔性HEMT阵列薄膜上方制备多个生物分子识别元件，形成HEMT生物传感器。通过本申请，解决了HEMT生物传感器因硬质衬底导致的柔性不足、应用范围受限的问题，使得柔性HEMT阵列生物传感器在性能、适应性和应用领域上有了显著提升，为可穿戴设备、植入式医疗设备等领域的应用提供了有力支持。
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