公开(公告)号：CN109980001A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201811568018.6

申请日：2018-12-21

Applicant: 丰田自动车株式会社 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 櫛田知义 ,  长里喜隆 ,  岩田直高 ,  榊裕之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及半导体器件。在具有异质结型超结结构的半导体器件中，漏极部分和源极部分电连接到二维电子气层和二维空穴气层中的一个，并且栅极部分通过绝缘区域防止直接接触二维电子气层和二维空穴气层中的所述一个。

公开(公告)号：CN109980001B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201811568018.6

申请日：2018-12-21

Applicant: 株式会社电装 ,  学校法人丰田学园

Inventor： 櫛田知义 ,  长里喜隆 ,  岩田直高 ,  榊裕之

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/08 ,  H01L29/423 ,  H01L21/335

Abstract: 本申请涉及半导体器件。在具有异质结型超结结构的半导体器件中，漏极部分和源极部分电连接到二维电子气层和二维空穴气层中的一个，并且栅极部分通过绝缘区域防止直接接触二维电子气层和二维空穴气层中的所述一个。