公开(公告)号：CN107634098B

公开(公告)日：2021-02-02

申请号：CN201710581314.9

申请日：2017-07-17

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 黑崎润一郎 ,  冈彻 ,  西井润弥 ,  伊奈务

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。为了抑制在具有栅极绝缘膜和栅电极的半导体器件中的电流泄漏。在沟槽的底表面、沟槽的侧表面和第二n型层的在沟槽的侧表面附近处的顶表面上经由栅极绝缘膜以膜的形式连续地形成栅电极。栅电极的底表面的端部与栅极绝缘膜的顶表面的端部对准，并且栅极绝缘膜的底表面的端部形成为与第二n型的面向栅电极的底表面的端部的表面接触。钝化膜覆盖器件的除了源电极和栅电极的接触孔之外的整个顶表面。

公开(公告)号：CN107634098A

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：CN201710581314.9

申请日：2017-07-17

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 黑崎润一郎 ,  冈彻 ,  西井润弥 ,  伊奈务

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明公开了半导体器件及其制造方法。为了抑制在具有栅极绝缘膜和栅电极的半导体器件中的电流泄漏。在沟槽的底表面、沟槽的侧表面和第二n型层的在沟槽的侧表面附近处的顶表面上经由栅极绝缘膜以膜的形式连续地形成栅电极。栅电极的底表面的端部与栅极绝缘膜的顶表面的端部对准，并且栅极绝缘膜的底表面的端部形成为与第二n型的面向栅电极的底表面的端部的表面接触。钝化膜覆盖器件的除了源电极和栅电极的接触孔之外的整个顶表面。