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发明公开
一种含有褶皱的石墨烯薄膜及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN117720101A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311561760.5

申请日：2023-11-22

申请人： 中核四0四有限公司 , 中核四0四成都核技术工程设计研究院有限公司 , 武汉大学

发明人： 司书尧 , 肖湘衡 , 陶柯宇 , 魏绪波 , 杨廷贵

IPC分类号： C01B32/186 , C01B32/194

摘要： 本发明涉及一种含有褶皱的石墨烯薄膜及其制备方法，包括以下步骤：(1)使用化学气相沉积法在金属基底表面制备单层石墨烯；(2)在单层石墨烯表面旋涂一层高分子支撑体，加热使高分子支撑体凝结；(3)使用离子刻蚀剂刻蚀金属基底；(4)待金属基底刻蚀后，使用湿法转移法转移至待用基底，去除高分子支撑体后最终得到含有褶皱的石墨烯薄膜。与现有技术相比，本发明采用物理方法制备得到了不含有其他官能团、不含缺陷的含有褶皱的石墨烯薄膜，工艺简单，制备时间大大缩短。