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公开(公告)号：CN105510713A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410502326.4
申请日：2014-09-26
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： G01R25/00
摘要： 本发明公开了一种用于检测电感耦合等离子体处理装置的感应线圈的输入输出电流的相位差的相位比较器，其包括第一和第二转换单元、相位比较单元和整流单元。第一和第二转换单元将输入和输出电流信号转换为方波波形的幅值和形状一致且相位差与感应线圈的输入电流和输出电流的相位差相同的第一和第二电压信号；相位比较单元将第一和第二电压信号进行相位比较并输出占空比与第一和第二电压信号的相位差对应的方波脉冲信号；整流单元将方波脉冲信号进行整流滤波处理以输出直流电压信号。本发明能够方便直观地了解感应线圈输入输出电流的相位差。
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公开(公告)号：CN105470191A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201410461647.4
申请日：2014-09-11
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01J37/32 , H05H1/02
摘要： 一种等离子处理装置中的静电夹持系统，包括：等离子处理腔和安装于等离子处理腔内下方的静电夹盘，晶圆固定在所述静电夹盘上，静电夹盘内包括至少一个吸附电极；一个吸附电压供应系统，通过第一接收端接收吸附电压设定值、一个第二接收端用于接收等离子处理装置内晶圆上的直流偏置电压值，还包括一个输出端输出吸附电压到所述吸附电极；所述吸附电压供应系统比较所述接收到的吸附电压设定值和直流偏置电压值获得一个修正吸附电压值，根据修正吸附电压值调节输出到所述吸附电极的输出电压的幅度和极性。
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公开(公告)号：CN108712813B
公开(公告)日：2019-01-04
申请号：CN201811065920.6
申请日：2018-09-13
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明公开了一种可切换匹配网络及电感耦合等离子处理器，所述可切换匹配网络能够在两个射频偏压频率之间进行选择。该匹配网络特别适用于电感耦合等离子体处理器。所述可切换匹配网络包括：第一匹配电路，其具有连接至第一信号源的第一输入端口和耦合至负载的第一输出端口；第二匹配电路，其具有连接至第二信号源的第二输入端口和耦合至所述负载的第二输出端口；开关装置，其具有第一至第三连接点，所述第一连接点连接至所述第一输入端口，所述第二连接点连接至所述第二输出端口；以及，可变电容器，其连接在电接地端和所述开关装置的所述第三连接点之间。
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公开(公告)号：CN107134625A
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201610107697.1
申请日：2016-02-26
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
摘要： 本申请公开了一种控制方法、射频功率分配器以及ICP设备，该控制方法包括：获取内线圈相对于外线圈的电流比的期望值；按照预设函数，调节第二电容的电容值，使得射频功率分配器中，内线圈相对于外线圈的电流比处于期望值。功率分配器为双线圈结构，第二电容的电容值改变时，内线圈相对于外线圈的电流比不同，进而射频功率分配器输出的电磁场不同。控制方法根据第二电容的电容值与电流比之间的函数关系，可以快速确定不同电流比时对应的第二电容的电容值，根据该电容值直接调节第二电容获取电流比的期望值，进而调节功率分配器的电流，达到调整输出功率相对分配的目的。
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公开(公告)号：CN104754850A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201310751510.8
申请日：2013-12-31
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 一种电感耦合型等离子处理器，包括：反应腔，基座，高频射频电源和电感线圈；所述基座位于反应腔中，待处理基片固定在所述基座上；反应腔顶部包括绝缘材料窗，所述电感线圈设置在反应腔外侧，通过所述绝缘材料窗将射频磁场传递入反应腔；所述高频射频电源通过一个匹配电路连接到所述电感线圈输入端，电感线圈的输出端连接到接地端；其特征在于所述匹配电路和电感线圈输入端之间还包括第一平衡电路，所述电感线圈输出端和接地端之间还包括第二平衡电路，所述第一和第二平衡电路包括互相串联的电感和电容。
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公开(公告)号：CN107333378A
公开(公告)日：2017-11-07
申请号：CN201610276103.X
申请日：2016-04-29
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/46
CPC分类号： H05H1/46 , H05H2001/4652
摘要： 本发明提供一种电感耦合等离子处理装置，所述电感耦合等离子处理装置的电感线圈包括多个子线圈，每个子线圈覆盖下方绝缘材料窗的不同区域；一个射频电源通过匹配电路连接到所述多个子线圈的输入端，每个子线圈包括输出端电连接到地，一个控制器控制输入所述多个子线圈的功率，其特征在于，所述控制器控制所述电感线圈的多个子线圈轮流执行的多个处理阶段，在所述处理阶段中至少一个子线圈的输入功率高于其它子线圈的输入功率。
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公开(公告)号：CN105722261A
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：CN201410721394.X
申请日：2014-12-03
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05B6/10
摘要： 一种ICP刻蚀器件中的加热组件及加热组件设置方法，将一根完整的电阻丝组件分层设置，每一层电阻丝部分形成电阻丝层，电阻丝连接部分连接位于相邻电阻丝层内的电阻丝部分，相邻电阻丝层之间设置绝缘材料层，所有电阻丝层上的电阻丝部分形状相同且位置上下重合，使闭合回路的面积无限趋近0。本发明可避免在加热组件形成的闭合回路内产生感应电动势，大大降低了对感应线圈形成的感应磁场的影响，提高了加热的能力和均匀性。
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公开(公告)号：CN105722261B
公开(公告)日：2018-10-30
申请号：CN201410721394.X
申请日：2014-12-03
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05B6/10
摘要： 一种ICP刻蚀器件中的加热组件及加热组件设置方法，将一根完整的电阻丝组件分层设置，每一层电阻丝部分形成电阻丝层，电阻丝连接部分连接位于相邻电阻丝层内的电阻丝部分，相邻电阻丝层之间设置绝缘材料层，所有电阻丝层上的电阻丝部分形状相同且位置上下重合，使闭合回路的面积无限趋近0。本发明可避免在加热组件形成的闭合回路内产生感应电动势，大大降低了对感应线圈形成的感应磁场的影响，提高了加热的能力和均匀性。
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公开(公告)号：CN108712813A
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201811065920.6
申请日：2018-09-13
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
IPC分类号： H05H1/46
摘要： 本发明公开了一种可切换匹配网络及电感耦合等离子处理器，所述可切换匹配网络能够在两个射频偏压频率之间进行选择。该匹配网络特别适用于电感耦合等离子体处理器。所述可切换匹配网络包括：第一匹配电路，其具有连接至第一信号源的第一输入端口和耦合至负载的第一输出端口；第二匹配电路，其具有连接至第二信号源的第二输入端口和耦合至所述负载的第二输出端口；开关装置，其具有第一至第三连接点，所述第一连接点连接至所述第一输入端口，所述第二连接点连接至所述第二输出端口；以及，可变电容器，其连接在电接地端和所述开关装置的所述第三连接点之间。
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公开(公告)号：CN108271308A
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201611254385.X
申请日：2016-12-30
申请人： 中微半导体设备(上海)有限公司
CPC分类号： H05H1/46 , H01J37/321 , H01J37/32183
摘要： 本发明公开了一种在电感耦合等离子体处理装置内点燃等离子体的方法，所述处理装置包括一处理腔，一射频功率源及一射频偏置功率源，所述射频偏置功率源通过一射频匹配网络施加到所述处理腔内部用于支撑基片的基座上，所述射频匹配网络包括两个可变电容，所述方法包括下列步骤：设置一电压测量装置用于测量基座表面的电压；控制所述射频偏置功率源输出第一射频功率，调节两可变电容的大小，使得所述射频偏置功率源在基座表面产生大于200伏的电压；控制所述射频功率源输出第二射频功率，保持所述可变电容大小不变，所述第二射频功率在所述第一射频功率的辅助下实现等离子体的点燃。
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