利用印章转移制备碳纳米管导电薄膜的方法及高灵敏度应变传感器

    公开(公告)号:CN109817383A

    公开(公告)日:2019-05-28

    申请号:CN201811558743.5

    申请日:2018-12-19

    Applicant: 中山大学

    Abstract: 本发明公开了一种利用印章转移制备碳纳米管导电薄膜的方法及高灵敏度应变传感器,是碳纳米管和柔性透明材料的复合结构。首先通过可控的印章转移法在柔性透明基底上制备碳纳米管薄膜,然后在透明碳纳米管导电薄膜两端镀上电极,形成高灵敏度的碳纳米管应变传感器。碳纳米管薄膜的面积、电导率和光透过率都是均匀、可控的。本发明实现了一种基于碳纳米管薄膜的高灵敏度应变传感器,并提供了碳纳米管透明导电薄膜的印章转移制备方法。该方法具有清洁、高效和低成本等优势,在新型柔性电子器件及传感器领域有广阔的应用前景。

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