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公开(公告)号：CN103930755A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：CN201280044662.8
申请日：2012-07-13
Applicant: 中央科学研究中心 , 法国宇航院 , 原子能和替代能源专员署
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J2005/204 , H01L27/14685 , H04N5/33
Abstract: 本发明是有关对给定光谱带的光辐射进行热探测的微测热辐射计阵列，包括一个支撑衬底和给定规模的微测热辐射计阵列（300），排列成阵列。每一个上述的微测热辐射计包括一个悬挂于上述支撑衬底之上的隔膜（301），所述隔膜包括一个吸收入射辐射的元件（305）和一个与吸收器热接触的测温元件（304），与上述吸收元件电绝缘。吸收元件包括至少一个第一金属/绝缘体/金属（MIM）结构，包括多个三层亚微细粒厚度的膜，即，第一金属膜（311），电介质膜（310），和第二金属膜（309），上述MIM结构具有对上述光谱带中的至少一种波长的入射辐射的谐振吸收。微测热辐射计像素被上述隔膜（301）覆盖的区域小于或等于整个微测热辐射计像素区域的一半。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103930755B
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201280044662.8
申请日：2012-07-13
Applicant: 中央科学研究中心 , 法国宇航院 , 原子能和替代能源专员署
CPC classification number: G01J5/20 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J2005/204 , H01L27/14685 , H04N5/33
Abstract: 根据一个方面，本发明是有关对给定光谱带的光辐射进行热探测的微测热辐射计阵列，包括一个支撑衬底和给定规模的微测热辐射计阵列（300），排列成阵列。每一个上述的微测热辐射计包括一个悬挂于上述支撑衬底之上的隔膜（301），所述隔膜包括一个吸收入射辐射的元件（305）和一个与吸收器热接触的测温元件（304），与上述吸收元件电绝缘。吸收元件包括至少一个第一金属/绝缘体/金属（MIM）结构，包括多个三层亚微细粒厚度的膜，即，第一金属膜（311），电介质膜（310），和第二金属膜（309），上述MIM结构具有对上述光谱带中的至少一种波长的入射辐射的谐振吸收。微测热辐射计像素被上述隔膜（301）覆盖的区域小于或等于整个微测热辐射计像素区域的一半。
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公开(公告)号：CN105981179A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201480075386.0
申请日：2014-12-17
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/035209 , H01L31/105 , H01L31/109 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 根据一个方面，本发明涉及一种用于对以中心波长λ0为中心的光谱带中的入射辐射进行量子光电探测的元件，具有旨在用于接收所述辐射的正面，且包括：半导体材料的层的堆叠，其形成PN或PIN结且包括由截止波长为λc>λ0的吸收半导体材料制成的至少一层，所述半导体材料的层的堆叠形成谐振光学腔；以及用于将入射辐射与所述光学腔耦合的结构，从而形成：所述中心波长λ0处的谐振，使得在所述中心波长处所述吸收材料层中的吸收大于80％；和在辐射波长λrad处不存在谐振，其中所述辐射波长λrad是在操作温度下辐射复合率最高的波长。
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公开(公告)号：CN105981179B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201480075386.0
申请日：2014-12-17
IPC: H01L31/0232 , H01L31/0304 , H01L31/105 , H01L31/109
CPC classification number: H01L31/02327 , H01L31/0304 , H01L31/03046 , H01L31/035209 , H01L31/105 , H01L31/109 , Y02E10/544 , Y02P70/521
Abstract: 根据一个方面，本发明涉及一种用于对以中心波长λ0为中心的光谱带中的入射辐射进行量子光电探测的元件，具有旨在用于接收所述辐射的正面，且包括：半导体材料的层的堆叠，其形成PN或PIN结且包括由截止波长为λc>λ0的吸收半导体材料制成的至少一层，所述半导体材料的层的堆叠形成谐振光学腔；以及用于将入射辐射与所述光学腔耦合的结构，从而形成：所述中心波长λ0处的谐振，使得在所述中心波长处所述吸收材料层中的吸收大于80％；和在辐射波长λrad处不存在谐振，其中所述辐射波长λrad是在操作温度下辐射复合率最高的波长。
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公开(公告)号：CN110914992B
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN201880037340.8
申请日：2018-04-06
Applicant: 法国宇航院
IPC: H01L27/146 , G02B5/20
Abstract: 根据一个方面，本发明涉及一种红外多光谱成像装置(20)，其适于检测至少一个第一和一个第二检测波长。其包括检测矩阵阵列(23)，包括形成给定尺寸图像场的一组预设尺寸基本检测器(23i)；和具有给定开口数量(N)和给定焦距(F)的成像光学器件(22)，该数量和焦距适于在图像场的每个点处形成覆盖一组至少并置的两个基本检测器的焦点。该装置还包括金属电介质导模共振基本滤光器矩阵阵列(24)，该矩阵阵列以小于光学器件(22)的焦深的距离设置在检测矩阵阵列(23)前方，基本滤光器尺寸选择为使得在图像场的每个点处形成的每个基本焦点覆盖至少两个基本滤光器；且基本滤光器针对以等于所述检测波长中的两个的两个不同中心波长为中心的光谱带中的带通透射优化。
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公开(公告)号：CN110914992A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201880037340.8
申请日：2018-04-06
IPC: H01L27/146 , G02B5/20
Abstract: 根据一个方面，本发明涉及一种红外多光谱成像装置(20)，其适于检测至少一个第一和一个第二检测波长。其包括检测矩阵阵列(23)，包括形成给定尺寸图像场的一组预设尺寸基本检测器(23i)；和具有给定开口数量(N)和给定焦距(F)的成像光学器件(22)，该数量和焦距适于在图像场的每个点处形成覆盖一组至少并置的两个基本检测器的焦点。该装置还包括金属电介质导模共振基本滤光器矩阵阵列(24)，该矩阵阵列以小于光学器件(22)的焦深的距离设置在检测矩阵阵列(23)前方，基本滤光器尺寸选择为使得在图像场的每个点处形成的每个基本焦点覆盖至少两个基本滤光器；且基本滤光器针对以等于所述检测波长中的两个的两个不同中心波长为中心的光谱带中的带通透射优化。
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