公开(公告)号：CN105981179A

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201480075386.0

申请日：2014-12-17

Applicant: 中央科学研究中心 ,  法国宇航院

Inventor： B·波尔捷 ,  M·凡尔登 ,  R·海达尔 ,  J-L·佩卢阿德 ,  F·帕尔多

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 根据一个方面，本发明涉及一种用于对以中心波长λ0为中心的光谱带中的入射辐射进行量子光电探测的元件，具有旨在用于接收所述辐射的正面，且包括：半导体材料的层的堆叠，其形成PN或PIN结且包括由截止波长为λc>λ0的吸收半导体材料制成的至少一层，所述半导体材料的层的堆叠形成谐振光学腔；以及用于将入射辐射与所述光学腔耦合的结构，从而形成：所述中心波长λ0处的谐振，使得在所述中心波长处所述吸收材料层中的吸收大于80％；和在辐射波长λrad处不存在谐振，其中所述辐射波长λrad是在操作温度下辐射复合率最高的波长。

公开(公告)号：CN105981179B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201480075386.0

申请日：2014-12-17

Applicant: 中央科学研究中心 ,  法国宇航院

Inventor： B·波尔捷 ,  M·凡尔登 ,  R·海达尔 ,  J-L·佩卢阿德 ,  F·帕尔多

IPC: H01L31/0232 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109

CPC classification number: H01L31/02327 ,  H01L31/0304 ,  H01L31/03046 ,  H01L31/035209 ,  H01L31/105 ,  H01L31/109 ,  Y02E10/544 ,  Y02P70/521

Abstract: 根据一个方面，本发明涉及一种用于对以中心波长λ0为中心的光谱带中的入射辐射进行量子光电探测的元件，具有旨在用于接收所述辐射的正面，且包括：半导体材料的层的堆叠，其形成PN或PIN结且包括由截止波长为λc>λ0的吸收半导体材料制成的至少一层，所述半导体材料的层的堆叠形成谐振光学腔；以及用于将入射辐射与所述光学腔耦合的结构，从而形成：所述中心波长λ0处的谐振，使得在所述中心波长处所述吸收材料层中的吸收大于80％；和在辐射波长λrad处不存在谐振，其中所述辐射波长λrad是在操作温度下辐射复合率最高的波长。