公开(公告)号：CN100491583C

公开(公告)日：2009-05-27

申请号：CN200510048899.5

申请日：2005-11-25

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大本英雄 ,  高松敦 ,  小林孝司

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/54 ,  C23C14/08

Abstract: 一种通过离子电镀装置在基板上形成ITO透明导电膜的方法，包括步骤：(a)从压力梯度型等离子体枪在真空室中产生等离子束；(b)用该等离子束照射ITO源，以加热和蒸发该ITO源；(c)通过等离子体气氛将该蒸发的ITO源离子化；和(d)在该基板上沉积该离子化的ITO源，以在该基板上形成该ITO透明导电膜。该方法特征在于，至少在步骤(d)期间，将该基板的温度调整到80-145℃，以及至少在步骤(d)期间，将每单位时间和每单位面积从该ITO源入射到该基板上的辐射热调整到1.5-10.0J/cm2·min的范围。所得到的ITO透明导电膜具有从1.2×10-4到3.0×10-4Ω·cm的电阻率。

公开(公告)号：CN101288007A

公开(公告)日：2008-10-15

申请号：CN200680038027.3

申请日：2006-10-16

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 高松敦 ,  米仓正明 ,  大本英雄 ,  中村功

IPC: G02B5/28 ,  B32B17/10 ,  B60J1/00 ,  C03C27/12

Abstract: 一种近红外线反射基板，其具有通过交替地层叠低折射率电介质膜和高折射率电介质膜而在透明基板上形成的近红外线反射膜。该基板的特征在于透明基板是板状玻璃或聚合物树脂片，其由JISR3106－1998定义的可见光透射率为70％或更高，并在900－1400nm波长区中具有超过50％的反射最大值。

公开(公告)号：CN1800439A

公开(公告)日：2006-07-12

申请号：CN200510048899.5

申请日：2005-11-25

Applicant: 中央硝子株式会社

Inventor： 大本英雄 ,  高松敦 ,  小林孝司

IPC: C23C14/28 ,  C23C14/54 ,  C23C14/08

Abstract: 一种通过离子电镀装置在基板上形成ITO透明导电膜的方法，包括步骤：(a)从压力梯度型等离子体枪在真空室中产生等离子束；(b)用该等离子束照射ITO源，以加热和蒸发该ITO源；(c)通过等离子体气氛将该蒸发的ITO源离子化；和(d)在该基板上沉积该离子化的ITO源，以在该基板上形成该ITO透明导电膜。该方法特征在于，至少在步骤(d)期间，将该基板的温度调整到80－145℃，以及至少在步骤(d)期间，将每单位时间和每单位面积从该ITO源入射到该基板上的辐射热调整到1.5－10.0J/cm2□min的范围。所得到的ITO透明导电膜具有从1.2×10－4到3.0×10－4Ω□cm的电阻率。