公开(公告)号：CN104114305A

公开(公告)日：2014-10-22

申请号：CN201380008046.1

申请日：2013-02-01

Applicant: 中央电气工业株式会社

Inventor： 佐口明彦 ,  祢宜教之 ,  米村光治

IPC: B22F1/00 ,  C22C38/00 ,  H01F1/057

CPC classification number: H01F1/0571 ,  B22F1/0007 ,  B22F1/0055 ,  B22F3/24 ,  B22F9/04 ,  B22F2003/248 ,  B22F2201/10 ,  B22F2201/20 ,  B22F2301/355 ,  C22C33/0278 ,  C22C38/00 ,  C22C38/002 ,  C22C38/005

Abstract: R-T-B-Ga系磁体用原料合金(其中，R为包含Y的稀土元素之中的至少1种、T是以Fe为必须的1种以上过渡元素)中，包含作为主相的R2T14B相3和浓缩有R的富R相(1和2)，通过使富R相内的非晶相1中的Ga含有率(质量％)高于富R相内的结晶相2中的Ga含有率(质量％)，在作为原料使用的稀土磁体中，能够提高磁特性同时能够降低磁特性的偏差。为了抑制激冷晶体的形成和α-Fe的结晶，优选的是，R-T-B-Ga系磁体用原料合金的平均厚度为0.1mm以上且1.0mm以下。